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M1F45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1F45M12W2-1LA
Price: 205.1 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-M1F45M12W2-1LA

Fabricante N.º:

M1F45M12W2-1LA

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm

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	S/205.10	S/205.10
	S/155.89	S/1,714.79

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.9 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Calificación:	AEC-Q100
Cantidad de empaque de fábrica:	11
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Automotive Grade Power Module

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module

STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module is designed for hybrid and electric vehicles' DC/DC converter stage. The M1F45M12W2-1LA uses a four-pack topology with an integrated NTC. The device incorporates four second-generation silicon carbide power MOSFETs from STMicroelectronics. The M1F45M12W2-1LA balances energy efficiency and high switching frequency, enabling complex topologies with high power density and efficiency. The STMicroelectronics device has an AlN-insulated substrate that ensures excellent thermal performance, and the grooved design enhances creepage distance for safety.