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CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Name: Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM22011600LRFPS
Price: 12.57 PEN
Availability: InStock

Mouser N.º:

610-CDM22011600LRFPS

Fabricante N.º:

CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Fabricante:

Central Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Ciclo de vida:

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	S/12.57	S/12.57
	S/8.14	S/81.40
	S/5.76	S/576.00
	S/4.20	S/2,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	23.05 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	UltraMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	2 g

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RoHS Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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