Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.53
1,335 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,335 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/28.53
10
S/19.23
100
S/13.97
500
S/11.99
1,000
S/11.99
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4300F100K256AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/79.72
3,151 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC4300F100K256A
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
3,151 En existencias
1
S/79.72
10
S/63.64
25
S/59.63
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1,000
S/50.84
250
S/53.13
500
S/51.89
1,000
S/50.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.74
9,810 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
9,810 En existencias
1
S/23.74
10
S/15.88
100
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S/9.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.75
6,355 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
6,355 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/27.75
10
S/18.18
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S/13.39
500
S/12.26
1,000
S/10.51
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.84
39,449 En existencias
2,000 Se espera el 4/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
39,449 En existencias
2,000 Se espera el 4/05/2026
1
S/28.84
10
S/18.92
100
S/13.90
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1,000
S/10.98
2,000
S/10.98
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.76
1,510 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1,510 En existencias
1
S/21.76
10
S/15.06
100
S/10.78
500
S/9.38
1,000
S/8.76
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1,000
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Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
TLS115D0EJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.62
3,817 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLS115D0EJXUMA1
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
3,817 En existencias
1
S/6.62
10
S/4.87
25
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1,000
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5,000
S/3.03
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2,500
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.21
3,491 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
3,491 En existencias
5,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/8.21
10
S/6.07
25
S/5.53
100
S/4.94
2,500
S/3.78
5,000
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S/4.63
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1,000
S/4.05
5,000
S/3.70
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2,500
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.07
4,715 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
4,715 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.07
10
S/6.73
25
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100
S/5.49
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5,000
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250
S/5.18
500
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1,000
S/4.75
5,000
S/4.67
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2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.73
3,245 En existencias
4,000 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
3,245 En existencias
4,000 Se espera el 11/06/2026
1
S/28.73
10
S/19.11
100
S/15.45
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S/13.74
1,000
S/13.23
2,000
S/12.14
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2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/63.91
447 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
447 En existencias
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Detalles
IGBTs INDUSTRY
IKW50N60DTPXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/14.83
886 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IKW50N60DTPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
886 En existencias
1
S/14.83
10
S/9.54
100
S/7.55
480
S/5.49
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Mult.: 1
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa MAGNETIC SENSOR IC'S
TLE49641MXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.10
3,496 En existencias
3,000 Se espera el 20/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-SP000923326
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa MAGNETIC SENSOR IC'S
3,496 En existencias
3,000 Se espera el 20/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/2.10
5
S/1.84
10
S/1.62
50
S/1.54
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Ver
3,000
S/1.14
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1,000
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2,000
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3,000
S/1.14
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.10
10,000 Se espera el 24/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
10,000 Se espera el 24/04/2026
Embalaje alternativo
1
S/2.10
5
S/1.84
10
S/1.62
50
S/1.54
100
Ver
10,000
S/1.16
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S/1.47
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S/1.23
5,000
S/1.16
10,000
S/1.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10,000
Detalles
IGBTs INDUSTRY
IKW30N60DTPXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/11.52
2,242 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IKW30N60DTPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
2,242 En pedido
Ver fechas
En pedido:
1,522 Se espera el 15/10/2026
720 Se espera el 22/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
S/11.52
10
S/6.23
100
S/5.10
480
S/4.05
1,200
S/4.01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles