Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.

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Resultados: 12

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A

AW2K21AR
ROHM Semiconductor
1: S/11.72
2,601En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AW2K21AR

N.º de artículo de Mouser
755-AW2K21AR

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A

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2,601En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/7.59

S/5.61

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WLCSP-22

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

3 mOhms

- 2 V, 10 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

HP8KF7HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/14.71
2,229En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HP8KF7HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8KF7HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

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Hoja de datos

2,229En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.65

S/7.12

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

150 V

18.5 A

62 mOhms

24 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

HT8KF6HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.91
2,400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8KF6HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KF6HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

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2,400En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.88

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

150 V

7 A

214 mOhms

20 V

4 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

HT8MB5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.94
2,691En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MB5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MB5TB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

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2,691En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.06

S/3.36

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V, 40 V

12 A, 15 A

47 mOhms, 56 mOhms

20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.5 nC, 16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

HT8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.94
2,678En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MC5TB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

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2,678En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.06

S/3.36

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

10 A, 11.5 A

90 mOhms, 109 mOhms

20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.1 nC, 17.1 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A

R8011KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/30.56
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R8011KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R8011KNZ4C13

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A

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Hoja de datos

600En existencias

S/30.56

S/22.23

S/18.53

S/15.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

30 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

R8019KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/38.54
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R8019KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R8019KNZ4C13

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

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600En existencias

S/38.54

S/30.17

S/25.22

S/21.41

S/19.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19 A

265 mOhms

30 V

4.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A

RS6E122BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.09
2,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS6E122BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6E122BGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A

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2,000En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/7.20

S/4.98

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.35

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

155 A

2.16 mOhms

20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A

HT8MD5HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.55
2,400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MD5HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MD5HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A

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Hoja de datos

2,400En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.33

S/2.82

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.09

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V, 80 V

9 A, 8.5 A

112 mOhms, 191 mOhms

20 V, 20 V

4 V, 4 V

3.1 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A

RD3N03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/9.19
1,743En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N03BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N03BATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A

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Hoja de datos

1,743En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.88

S/4.09

S/3.44

Envase tipo carrete

S/2.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

30 A

64 mOhms

20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A

RD3N045ATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/6.15
2,250En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N045ATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N045ATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A

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Hoja de datos

2,250En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.86

S/2.56

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

4.5 A

750 mOhms

20 V

4 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A

SH8MD5HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.42
2,500Se espera el 20/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SH8MD5HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8MD5HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A

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Hoja de datos

2,500Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/6.42

S/4.05

S/2.72

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V, 80 V

3.5 A, 3 A

116 mOhms, 193 mOhms

20 V, 20 V

4 V, 4 V

3.1 nC, 17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Small Signal Dual Channel MOSFETs

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