Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A

SH8MD5HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.38
2,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SH8MD5HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8MD5HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.70

S/2.13

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V, 80 V

3 A, 3.5 A

116 mOhms, 193 mOhms

20 V, 20 V

4 V, 4 V

3.1 nC, 17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A

AW2K21AR
ROHM Semiconductor
1: S/12.26
2,839En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AW2K21AR

N.º de artículo de Mouser
755-AW2K21AR

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,839En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.94

S/5.57

S/4.52

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WLCSP-22

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

3 mOhms

- 2 V, 10 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

HP8KF7HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/15.38
2,472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HP8KF7HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8KF7HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,472En existencias

Cinta cortada

S/15.38

S/10.04

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

150 V

18.5 A

62 mOhms

24 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

HT8KF6HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.46
3,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8KF6HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KF6HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

150 V

7 A

214 mOhms

20 V

4 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

HT8MB5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.43
2,990En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MB5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MB5TB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.18

S/2.53

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V, 40 V

12 A, 15 A

47 mOhms, 56 mOhms

20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.5 nC, 16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

HT8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.43
2,892En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MC5TB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,892En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.18

S/2.53

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

10 A, 11.5 A

90 mOhms, 109 mOhms

20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.1 nC, 17.1 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A

HT8MD5HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.55
2,990En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MD5HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MD5HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.25

S/2.58

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V, 80 V

8.5 A, 9 A

112 mOhms, 191 mOhms

20 V, 20 V

4 V, 4 V

3.1 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A

R8011KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/31.76
580En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R8011KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R8011KNZ4C13

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

580En existencias

S/31.76

S/22.85

S/16.78

S/15.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

30 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

R8019KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/39.28
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R8019KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R8019KNZ4C13

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

Obtenga más información

Hoja de datos

600En existencias

S/39.28

S/27.25

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19 A

265 mOhms

30 V

4.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A

RD3N03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/9.34
2,464En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N03BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N03BATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,464En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.09

S/3.25

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

30 A

64 mOhms

20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A

RS6E122BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.87
2,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS6E122BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6E122BGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/7.71

S/5.29

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

155 A

2.16 mOhms

20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A

RD3N045ATTL1
ROHM Semiconductor
1: S/6.34
2,400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N045ATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N045ATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,400En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

4.5 A

750 mOhms

20 V

4 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte