Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 60V/100V (D-S) MOSFET PowerPAK

Vishay N-Channel 60V and 100V (D-S) MOSFETs feature TrenchFET^® Gen IV technology, low on-resistance, and extremely low thermal resistance. These devices also feature a very low gate charge and output charge, reducing power loss and improving efficiency. The compact 6.15mm x 5.13mm PowerPAK^® SO-8 package offers a space-saving alternative to conventional TO-220 and TO-263 solutions.

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIR104LDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.07
18,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR104LDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR104LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Hoja de datos

18,835En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.76

S/4.32

S/3.59

S/3.58

Envase tipo carrete

S/3.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V

SIR626ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
12,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR626ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR626ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V

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Hoja de datos

12,343En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.87

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

165 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80 V

SIJ128LDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
7,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ128LDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ128LDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80 V

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7,004En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.13

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

25.5 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

22.3 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIDR104ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.18
2,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR104ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR104ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Hoja de datos

2,490En existencias

Cinta cortada

S/12.18

S/8.60

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.1 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 90.9A N-CH MOSFET

SIDR570EP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.27
5,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR570EP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR570EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 90.9A N-CH MOSFET

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5,005En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/11.05

S/7.82

S/7.16

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

90.9 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35.1 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SIJ4406DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.85
10,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ4406DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ4406DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

10,773En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.28

S/2.82

S/2.24

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

41.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 78A

SIR4406DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.89
10,889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR4406DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR4406DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 78A

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10,889En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.32

S/2.79

S/2.15

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

41.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

SIR5712DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
10,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR5712DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5712DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

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10,406En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.90

S/3.22

S/2.56

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

55.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIR870BDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.52
3,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR870BDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR870BDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Hoja de datos

3,244En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.63

S/5.53

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 148A N-CH MOSFET

SIDR510EP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.69
3,011En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR510EP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR510EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 148A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

3,011En existencias

Cinta cortada

S/15.69

S/10.32

S/7.28

S/6.54

S/6.19

Envase tipo carrete

S/6.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

148 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 94A

SIDR500EP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.88
9,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIDR500EP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR500EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 94A

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Hoja de datos

9,600En pedido

Cinta cortada

S/18.88

S/12.61

S/9.54

S/8.49

S/8.02

Envase tipo carrete

S/8.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

421 A

470 uOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

54.3 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60 V

SIJ462ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.34
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIJ462ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ462ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60 V

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Hoja de datos

6,000En pedido

Cinta cortada

S/9.34

S/5.96

S/3.97

S/3.24

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

39.3 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19.8 nC

- 55 C

+ 150 C

22.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel 60V/100V (D-S) MOSFET PowerPAK

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