Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

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Resultados: 36

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AFS,LF
Toshiba
1: S/0.895
38,795En existencias
39,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35AFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AFSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/0.895

S/0.557

S/0.346

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.183

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SSM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
1: S/0.895
54,341En existencias
72,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

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S/0.895

S/0.533

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.128

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: S/3.19
1,299En existencias
6,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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Cinta cortada

S/3.19

S/1.99

S/1.28

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.751

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

SSM3K44FS,LF
Toshiba
1: S/1.01
6,899En existencias

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SSM3K44FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K44FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/1.01

S/0.619

S/0.385

S/0.284

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.37
1,681En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/2.37

S/1.06

S/0.934

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

43 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K7002CFU,LF
Toshiba
1: S/0.817
9,517En existencias
45,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002CFULF

Toshiba

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Cinta cortada

S/0.817

S/0.479

S/0.292

S/0.21

Envase tipo carrete

S/0.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

SSM3K7002KF,LF
Toshiba
1: S/1.36
11,019En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KF,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

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S/1.36

S/0.923

S/0.584

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V

SSM3K7002KFU,LF
Toshiba
1: S/0.74
42,688En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V

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Cinta cortada

S/0.74

S/0.448

S/0.276

S/0.202

Envase tipo carrete

S/0.144

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A

SSM3K72CTC,L3F
Toshiba
1: S/1.09
11,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A

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Cinta cortada

S/1.09

S/0.658

S/0.409

S/0.304

Envase tipo carrete

S/0.199

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

150 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: S/2.45
195,611En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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Cinta cortada

S/2.45

S/1.52

S/0.973

S/0.736

Envase tipo carrete

S/0.557

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

SSM3K347R,LF
Toshiba
1: S/2.06
5,861En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K347R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K347RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

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S/2.06

S/1.27

S/0.806

S/0.607

Envase tipo carrete

S/0.455

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

SSM3 High Current MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14 mOhms
17.5 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
28 mOhms
43 mOhms
51 mOhms
90 mOhms
125 mOhms
164 mOhms
185 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
700 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms
1.1 Ohms
1.3 Ohms
1.75 Ohms
1.8 Ohms

270 pC
340 pC
350 pC
390 pC
600 pC
1 nC
1.5 nC
1.6 nC
2 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC
3.4 nC
3.6 nC
5.1 nC
9.3 nC
15.1 nC
16.6 nC
33 nC
38.5 nC