Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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Resultados: 41

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/16.58
83En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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Hoja de datos

83En existencias

Cinta cortada

S/16.58

S/10.94

S/7.75

S/7.05

Envase tipo carrete

S/5.76

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N60DM2
STMicroelectronics
1: S/4.94
1,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

1,411En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.13

S/2.07

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

1.38 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

8.6 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF11N60DM2
STMicroelectronics
1: S/9.15
309En existencias
2,000Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF11N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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Hoja de datos

309En existencias

2,000Se espera el 16/03/2026

S/9.15

S/4.48

S/4.01

S/3.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF12N50DM2
STMicroelectronics
1: S/10.51
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N50DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N50DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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136En existencias

S/10.51

S/6.81

S/4.87

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

299 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/10.67
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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836En existencias

S/10.67

S/5.25

S/4.71

S/3.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

310 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/15.53
457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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Hoja de datos

457En existencias

S/15.53

S/10.16

S/7.47

S/6.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/16.35
325En existencias
1,000Se espera el 12/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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Hoja de datos

325En existencias

1,000Se espera el 12/02/2026

S/16.35

S/8.49

S/7.75

S/7.05

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/20.67
562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

562En existencias

S/20.67

S/11.87

S/10.86

S/9.03

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

STP11N60DM2
STMicroelectronics
1: S/9.15
721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

721En existencias

S/9.15

S/4.55

S/4.01

S/3.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP43N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.04
10En existencias
1,000Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

10En existencias

1,000Se espera el 13/04/2026

S/23.04

S/12.30

S/11.25

S/9.38

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STW24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/16.89
485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

Obtenga más información

Hoja de datos

485En existencias

S/16.89

S/11.29

S/8.68

S/7.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.72
299En existencias
600Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

299En existencias

600Se espera el 18/05/2026

S/18.72

S/12.38

S/9.65

S/8.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF10N60DM2
STMicroelectronics
1: S/8.60
2,000Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 23/03/2026

S/8.60

S/4.20

S/3.50

S/2.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

STL33N60DM6
STMicroelectronics
3,000: S/5.10
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.10

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

140 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel

STP35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/17.87
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP35N60DM2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

S/17.87

S/11.79

S/9.23

S/8.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW33N60DM2
STMicroelectronics
600: S/9.19
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/9.19

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

42 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
93 mOhms
110 mOhms
115 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
175 mOhms
195 mOhms
200 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
310 mOhms
350 mOhms
370 mOhms
440 mOhms
570 mOhms
1.38 Ohms