Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 125

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 60V 10.5A

SH8KC7TB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.72
2,500Se espera el 4/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SH8KC7TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8KC7TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 60V 10.5A

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Hoja de datos

2,500Se espera el 4/06/2026

Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.79

S/3.03

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

60 V

10.5 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Pch+Pch Si MOSFET

UT6JA2TCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.23
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
UT6JA2TCR

N.º de artículo de Mouser
755-UT6JA2TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Pch+Pch Si MOSFET

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Hoja de datos

6,000En pedido

Cinta cortada

S/3.23

S/2.58

S/1.78

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-8

P-Channel

2 Channel

30 V

4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-CH 30V 1.5A

US6K1TR
ROHM Semiconductor
1: S/3.74
5,874Se espera el 25/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
US6K1TR

N.º de artículo de Mouser
755-US6K1TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-CH 30V 1.5A

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Hoja de datos

5,874Se espera el 25/03/2026

Cinta cortada

S/3.74

S/2.33

S/1.52

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.767

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363T-6

N-Channel

2 Channel

30 V

1.5 A

240 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

QH8KA1TCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.39
3,000Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
QH8KA1TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KA1TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

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Hoja de datos

3,000Se espera el 28/04/2026

Cinta cortada

S/3.39

S/2.36

S/1.56

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N+P Ch MOSFET

QH8MA3TCR
ROHM Semiconductor
1: S/4.52
2,973Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
QH8MA3TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8MA3TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N+P Ch MOSFET

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Hoja de datos

2,973Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/4.52

S/2.84

S/1.86

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7 A, 5.5 A

29 mOhms, 48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.2 nC, 10 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL TR MOSFET

VT6K1T2CR
ROHM Semiconductor
56,000Existencias disponibles
NRND

N.º de artículo del Fabricante
VT6K1T2CR

N.º de artículo de Mouser
755-VT6K1T2CR

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL TR MOSFET

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Hoja de datos

56,000Existencias disponibles

Más información disponible

Cotización

SMD/SMT

VMT-6

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3.5 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET

QS8J13TR
ROHM Semiconductor
1: S/4.87
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS8J13TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS8J13TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/4.87

S/3.04

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

P-Channel

2 Channel

12 V

5.5 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

60 nC

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

QH8KA2TCR
ROHM Semiconductor
3,000: S/1.11
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QH8KA2TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KA2TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.11

S/1.03

S/0.938

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

HP8S36TB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
HP8S36TB

N.º de artículo de Mouser
755-HP8S36TB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

27 A, 80 A

2.4 mOhms, 8.8 mOhms

- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V

2.5 V

4.8 nC, 47 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET

QH8K26TR
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
QH8K26TR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8K26TR

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

7 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Nch+Pch Middle Power MOSFET

QH8M22TCR
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
QH8M22TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8M22TCR

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Nch+Pch Middle Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

4.5 A, 2.5 A

46 mOhms, 190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 3 V

2.6 nC, 9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRANS MOSFET NCH 30V 3.5A 8PIN

QS8K2TR
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
QS8K2TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS8K2TR

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRANS MOSFET NCH 30V 3.5A 8PIN

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch+Nch MOSFET

SH8K26GZ0TB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SH8K26GZ0TB

N.º de artículo de Mouser
755-SH8K26GZ0TB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch+Nch MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

40 V

6 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35V Nch+Nch Power MOSFET

SH8K51GZETB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SH8K51GZETB

N.º de artículo de Mouser
755-SH8K51GZETB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35V Nch+Nch Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

35 V

4 A

42 mOhms

4 nC

2 W

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

SH8KA2GZETB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SH8KA2GZETB

N.º de artículo de Mouser
755-SH8KA2GZETB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Pch Power MOSFET

SH8M51GZETB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SH8M51GZETB

N.º de artículo de Mouser
755-SH8M51GZETB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Pch Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V, 100 V

3 A, 2.5 A

170 mOhms, 290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

8.5 nC, 12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Pch+Pch Power MOSFET

SP8J66FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8J66FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8J66FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Pch+Pch Power MOSFET

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Comentarios de Producto

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

2 Channel

30 V

9 A

18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg

SP8K22FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8K22FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8K22FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg

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Comentarios de Producto

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

45 V

4.5 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 6A 0.036Rds(on) 15.4Qg

SP8K24FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8K24FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8K24FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 6A 0.036Rds(on) 15.4Qg

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

45 V

6 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg

SP8K31FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8K31FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8K31FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

60 V

3.5 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET

SP8K3FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8K3FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8K3FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET

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Comentarios de Producto

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7 A

24 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch+Pch MOSFET (AEC-Q101 Qualified)

SP8M10FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8M10FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M10FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch+Pch MOSFET (AEC-Q101 Qualified)

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7 A, 4.5 A

25 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.4 nC, 8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg

SP8M5FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8M5FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M5FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

6 A, 7 A

28 mOhms, 30 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V, 2.5 V

7.2 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8

SP8M6FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8M6FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M6FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8

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Cotización

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5 A, 3.5 A

51 mOhms, 90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.9 nC, 5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET

VT6J1T2CR
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
VT6J1T2CR

N.º de artículo de Mouser
755-VT6J1T2CR

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cotización

SMD/SMT

VMT-6

P-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3.8 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
200 mA
250 mA
300 mA
1 A
1.3 A
1.4 A
1.4 A, 1 A
1.5 A
1.5 A, 1 A
1.5 A, 1.3 A
2 A
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