Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 25

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg IRF2804PBF Infineon Technologies 1: S/8.45 3,474En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF2804PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg	Hoja de datos	3,474En existencias	S/8.45 S/5.02 S/4.32 S/3.60	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	280 A	2 mOhms	20 V	2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC IRFP250MPBF Infineon Technologies 1: S/12.49 5,343En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFP250MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP250MPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	5,343En existencias	S/12.49 S/6.23 S/5.10 S/4.40	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	30 A	75 mOhms	20 V	4 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: S/3.66 7,805En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7,805En existencias	Cinta cortada S/3.66 S/1.68 S/1.48 S/1.14 Envase tipo carrete S/0.872 Ver S/1.09 S/0.755 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260MPBF Infineon Technologies 1: S/15.41 23,049En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP260MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260MPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	23,049En existencias	S/15.41 S/7.82 S/6.54 S/5.53 S/5.49	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	50 A	40 mOhms	20 V	4 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies 1: S/20.51 7,817En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4127TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4127TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	7,817En existencias	Cinta cortada S/20.51 S/10.67 S/9.73 S/8.10 Envase tipo carrete S/8.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	72 A	22 mOhms	20 V	1.8 V	100 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies 1: S/17.79 7,520En existencias 7,200Se espera el 3/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRFS4227TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4227TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	7,520En existencias 7,200Se espera el 3/11/2026	Cinta cortada S/17.79 S/9.15 S/8.29 S/6.66 Envase tipo carrete S/6.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,400 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	62 A	26 mOhms	30 V	5 V	70 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies 1: S/2.61 35,999En existencias 24,000Se espera el 2/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IRLTS6342TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable	Hoja de datos	35,999En existencias 24,000Se espera el 2/12/2026	Cinta cortada S/2.61 S/1.17 S/1.03 S/0.779 Envase tipo carrete S/0.592 Ver S/0.514 S/0.463 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	30 V	8.3 A	17.5 mOhms	12 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC IRF5801TRPBF Infineon Technologies 1: S/2.96 21,207En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF5801TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF5801TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	21,207En existencias	Cinta cortada S/2.96 S/1.34 S/1.18 S/0.895 Envase tipo carrete S/0.685 Ver S/0.654 S/0.596 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	200 V	600 mA	2.2 Ohms	30 V	2 V	3.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NPBF Infineon Technologies 1: S/8.02 27,892En existencias 18,000Se espera el 3/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF640NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF640NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	27,892En existencias 18,000Se espera el 3/11/2026	S/8.02 S/4.24 S/3.26 S/2.56 Ver S/2.18 S/1.98 S/1.90	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	150 mOhms	20 V	2 V	44.7 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC IRFB38N20DPBF Infineon Technologies 1: S/11.33 4,247En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB38N20DPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB38N20DPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	4,247En existencias	S/11.33 S/6.27 S/4.98 S/4.67 S/3.28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	54 mOhms	30 V	1.8 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud IRFB4020PBF Infineon Technologies 1: S/10.04 8,235En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB4020PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4020PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	8,235En existencias	S/10.04 S/4.90 S/4.13 S/3.46 Ver S/3.15 S/3.06	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	100 mOhms	20 V	1.8 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260NPBF Infineon Technologies 1: S/15.26 6,544En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP260NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	6,544En existencias	S/15.26 S/9.54 S/7.75 S/6.31 S/5.57	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	50 A	40 mOhms	20 V	1.8 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies 1: S/10.55 2,911En existencias 24,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFR4620TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFR4620TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2,911En existencias 24,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFR4620TRLPBF Existencias: 2,911 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 12,000 Se espera el 26/11/2026 12,000 Se espera el 24/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 31 Semanas	Cinta cortada S/10.55 S/5.22 S/4.36 S/3.75 S/3.68 Envase tipo carrete S/3.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	24 A	78 mOhms	20 V	1.8 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies 1: S/17.32 2,143En existencias 1,600Se espera el 6/05/2027	N.º de artículo del Fabricante IRFS38N20DTRLP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS38N20DTRLP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2,143En existencias 1,600Se espera el 6/05/2027	Cinta cortada S/17.32 S/8.91 S/8.10 S/6.46 Envase tipo carrete S/6.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	54 mOhms	30 V	5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	320 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies 1: S/18.02 6,031En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4229TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4229TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	6,031En existencias	Cinta cortada S/18.02 S/9.26 S/8.41 S/6.77 Envase tipo carrete S/6.77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	250 V	45 A	48 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies 1: S/13.51 5,891En existencias 38,400En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFS4620TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4620TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	5,891En existencias 38,400En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFS4620TRLPBF Existencias: 5,891 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 8,000 Se espera el 11/02/2027 12,800 Se espera el 18/02/2027 17,600 Se espera el 18/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/13.51 S/6.77 S/6.11 Envase tipo carrete S/4.55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	24 A	77.5 mOhms	20 V	5 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC IRF5802TRPBF Infineon Technologies 1: S/2.92 9,915En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF5802TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF5802TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC	Hoja de datos	9,915En existencias	Cinta cortada S/2.92 S/1.32 S/1.16 S/0.884 Envase tipo carrete S/0.677 Ver S/0.642 S/0.611 S/0.588 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	150 V	900 mA	1.2 Ohms	30 V	5.5 V	4.5 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC IRFB5620PBF Infineon Technologies 1: S/11.13 858En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB5620PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB5620PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC	Hoja de datos	858En existencias	S/11.13 S/5.96 S/5.22 S/4.32 Ver S/4.01 S/3.93 S/3.89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	25 A	72.5 mOhms	20 V	1.8 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC IRF630NPBF Infineon Technologies 1: S/5.37 128En existencias 10,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF630NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF630NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	128En existencias 10,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF630NPBF Existencias: 128 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 4,000 Se espera el 22/10/2026 6,000 Se espera el 27/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	S/5.37 S/2.50 S/2.22 S/1.73 S/1.72	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	9.3 A	300 mOhms	20 V	2 V	23.3 nC	- 55 C	+ 175 C	82 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies 1: S/8.25 3,480En existencias 36,300En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF640NSTRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF640NSTRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	3,480En existencias 36,300En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF640NSTRLPBF Existencias: 3,480 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 30,700 Se espera el 28/10/2026 5,600 Se espera el 25/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 30 Semanas	Cinta cortada S/8.25 S/3.97 S/3.55 S/3.15 Envase tipo carrete S/2.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	150 mOhms	20 V	2 V	44.7 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies 1: S/4.48 1,588En existencias 12,000Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6242TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6242TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon pqfn hexfet	Hoja de datos	1,588En existencias 12,000Se espera el 2/11/2026	Cinta cortada S/4.48 S/1.88 S/1.67 S/1.31 Envase tipo carrete S/0.934 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	1 Channel	20 V	22 A	11.7 mOhms	12 V	1.1 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	9.6 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC IRFP250NPBF Infineon Technologies 1: S/11.41 42,580En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFP250NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP250NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	42,580En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFP250NPBF Existencias: 0 En pedido: 17,600 Se espera el 15/10/2026 16,580 Se espera el 28/10/2026 8,400 Se espera el 3/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 25 Semanas	S/11.41 S/6.62 S/5.49 S/4.67 Ver S/4.52 S/4.20 S/4.13	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	30 A	75 mOhms	20 V	1.8 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: S/3.23 30,350En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	30,350En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 10,350 Se espera el 18/03/2027 20,000 Se espera el 12/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada S/3.23 S/1.52 S/1.35 S/1.04 Ver Envase tipo carrete S/0.771 S/1.02 S/0.93 S/0.771 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC IRFP90N20DPBF Infineon Technologies 1: S/22.54 2,429Se espera el 19/10/2026 Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IRFP90N20DPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP90N20DPBF Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC	Hoja de datos	2,429Se espera el 19/10/2026	S/22.54 S/11.79 S/10.78 S/10.74 Ver S/10.39 S/9.93 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	94 A	23 mOhms	30 V	1.8 V	180 nC	- 55 C	+ 175 C	580 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg IRFB4321PBF Infineon Technologies 1,000: S/7.36 Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRFB4321PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4321PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas	S/7.36 S/6.81 S/6.62	Min.: 1,000 Mult.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube