Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: S/13.78
25,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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Hoja de datos

25,087En existencias

S/13.78

S/7.16

S/5.84

S/4.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
1: S/6.81
26,934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NSTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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26,934En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.40

S/3.20

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.16

S/1.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
5,748En existencias
8,975Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Hoja de datos

5,748En existencias

8,975Se espera el 25/02/2026

S/5.68

S/2.85

S/2.60

S/2.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: S/17.71
4,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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4,761En existencias

S/17.71

S/10.24

S/9.03

S/7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/9.81
12,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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12,878En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/6.19

S/4.32

S/3.42

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/11.79
4,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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Hoja de datos

4,850En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/7.98

S/5.57

S/5.02

Envase tipo carrete

S/3.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/17.01
6,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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Hoja de datos

6,744En existencias

Cinta cortada

S/17.01

S/11.25

S/7.94

Envase tipo carrete

S/5.92

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1: S/3.15
11,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6276TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

Hoja de datos

11,660En existencias

Cinta cortada

S/3.15

S/1.95

S/1.27

S/0.965

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg

IRF2804PBF
Infineon Technologies
1: S/9.85
2,351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF2804PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF2804PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg

Hoja de datos

2,351En existencias

S/9.85

S/5.53

S/5.14

S/4.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

280 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.18
12,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

Obtenga más información

Hoja de datos

12,266En existencias

Cinta cortada

S/2.18

S/1.54

S/0.697

Envase tipo carrete

S/0.564

S/0.561

S/0.545

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: S/14.17
1,356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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Hoja de datos

1,356En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.69

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.53

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/8.49
4,369En existencias
2,400Se espera el 4/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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Hoja de datos

4,369En existencias

2,400Se espera el 4/03/2026

Cinta cortada

S/8.49

S/5.92

S/4.13

S/4.09

Envase tipo carrete

S/2.72

S/2.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.30
8,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

8,186En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.36

S/1.12

S/0.961

Envase tipo carrete

S/0.705

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC

IRF5802TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.41
8,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF5802TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5802TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC

Hoja de datos

8,495En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/1.49

S/0.961

S/0.724

Envase tipo carrete

S/0.576

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

150 V

900 mA

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

5.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.26
3,324En existencias
3,000Se espera el 4/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

3,324En existencias

3,000Se espera el 4/03/2026

Cinta cortada

S/2.26

S/1.43

S/0.891

S/0.712

Envase tipo carrete

S/0.463

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: S/11.64
699En existencias
3,200Se espera el 25/02/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Hoja de datos

699En existencias

3,200Se espera el 25/02/2026

S/11.64

S/6.50

S/5.25

S/3.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: S/5.10
1,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

Obtenga más información

Hoja de datos

1,470En existencias

S/5.10

S/2.16

S/2.04

S/1.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: S/13.20
112En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

Obtenga más información

Hoja de datos

112En existencias

2,000En pedido

S/13.20

S/6.66

S/6.03

S/4.90

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: S/7.01
2,340En existencias
2,000Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

Obtenga más información

Hoja de datos

2,340En existencias

2,000Se espera el 25/02/2026

S/7.01

S/2.65

S/2.30

S/2.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/14.83
139En existencias
9,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4127TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

139En existencias

9,600En pedido

Cinta cortada

S/14.83

S/9.69

S/6.89

S/6.62

Envase tipo carrete

S/4.98

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.57
709En existencias
4,000Se espera el 19/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6242TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Obtenga más información

Hoja de datos

709En existencias

4,000Se espera el 19/03/2026

Cinta cortada

S/2.57

S/1.45

S/1.08

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.658

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

9.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: S/11.29
Plazo de entrega 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Hoja de datos

Plazo de entrega 18 Semanas

S/11.29

S/7.24

S/6.46

S/5.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC

IRFP90N20DPBF
Infineon Technologies
1: S/26.59
2,792En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP90N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP90N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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Hoja de datos

2,792En pedido

S/26.59

S/15.03

S/12.69

S/11.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

94 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

580 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg

IRFB4332PBF
Infineon Technologies
1: S/15.22
5,967En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4332PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4332PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg

Hoja de datos

5,967En pedido

S/15.22

S/7.79

S/7.05

S/5.76

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

33 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

390 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
11.7 mOhms
17.5 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
26 mOhms
33 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
48 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
75 mOhms
77.5 mOhms
78 mOhms
100 mOhms
150 mOhms
300 mOhms
1.2 Ohms
2.2 Ohms

2.8 nC
3.1 nC
3.9 nC
4.5 nC
11 nC
14 nC
18 nC
23.3 nC
25 nC
38 nC
44.7 nC
60 nC
70 nC
72 nC
82 nC
91 nC
99 nC
100 nC
156 nC
160 nC