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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente Voltaje de corte puerta-fuente Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0 Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Texas Instruments Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current 902En existencias
3,000Se espera el 22/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 3,000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V - 1.2 V 23 mA - 40 C + 125 C JFE2140 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current 3,821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V - 1.15 V 50 mA - 40 C + 125 C JFE2140 Reel, Cut Tape, MouseReel