Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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61,577En existencias

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SQJ860EP-T1_GE3

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78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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S/1.71

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.92
42,008En existencias

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SQJ444EP-T1_GE3

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78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/5.92

S/3.88

S/2.75

S/2.47

S/2.28

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/8.37

S/5.37

S/3.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ464EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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S/3.77

S/2.51

S/1.97

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45 W

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AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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15,390En existencias

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SQJ476EP-T1_GE3

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78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/2.15

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SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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1,707En existencias

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SQJ952EP-T1_GE3

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78-SQJ952EP-T1_GE3

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S/5.02

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SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ411EP-T1_GE3

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA94EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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30,551En existencias

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SQJ418EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.70

S/4.28

S/2.85

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S/1.81

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48 A

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2.5 V

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68 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.46
84,348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.46

S/4.09

S/2.73

S/2.15

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S/1.72

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1 Channel

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55 A

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1.5 V

80 nC

- 55 C

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.41
57,367En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.41

S/3.49

S/2.44

S/1.91

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S/1.45

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.08
4,667En existencias
9,000Se espera el 12/02/2026

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SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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4,667En existencias

9,000Se espera el 12/02/2026

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S/7.08

S/4.94

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.16

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52 A

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83 W

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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3,008En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.27

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N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
12,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA84EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

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S/1.84

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

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46 A

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+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.19
9,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA86EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.60

S/2.05

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S/1.57

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.19
4,542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.19

S/3.93

S/2.61

S/2.05

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S/1.64

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

17.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
5,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ148EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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5,149En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.55

S/1.66

S/1.31

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S/1.02

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15 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

45 W

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.05
5,357En existencias
39,000En pedido

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SQJ479EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/7.05

S/4.48

S/3.00

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.87

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.84
3,150En existencias

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SQJA00EP-T1_GE3

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78-SQJA00EP-T1_GE3

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S/5.84

S/3.70

S/2.46

S/1.93

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S/1.54

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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S/1.93

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S/1.38

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA46EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.05

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.45 mOhms
2.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
30 mOhms