Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 23

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Vishay Semiconductors
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38,950En existencias

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SQJ444EP-T1_GE3

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78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.79

S/4.98

S/3.34

S/2.64

S/2.42

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
76,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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76,227En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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4,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

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S/1.76

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
46,335En existencias
18,000Se espera el 30/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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18,000Se espera el 30/06/2026

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S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

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SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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81,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.89

S/4.40

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S/2.10

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
51,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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15,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA84EP-T1_GE3

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78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

S/2.24

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+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
28,928En existencias
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SQJ418EP-T1_GE3

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78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/7.16

S/4.55

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.57
10,002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ476EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.57

S/3.50

S/2.31

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.43

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100 V

23 A

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1.5 V

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45 W

Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.62
4,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA86EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.76

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N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
3,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ148EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.09

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1.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.91
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ403BEEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403BEEP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/8.91

S/5.72

S/3.87

S/3.09

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.61

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

164 nC

- 55 C

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.34

S/2.64

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.16

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
354En existencias
111,000En pedido

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SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.65

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.46
16,073En existencias
120,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.46

S/3.97

S/2.75

S/2.15

S/2.00

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S/1.60

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
1,496En existencias

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SQJ952EP-T1_GE3

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78-SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/8.37

S/5.37

S/3.61

S/2.86

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S/2.39

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
40En existencias
12,000En pedido

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SQJA00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

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S/1.65

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.36
125,573En pedido

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SQJ479EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/4.71

S/3.15

S/2.49

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S/2.00

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
5,981Se espera el 30/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ860EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,981Se espera el 30/06/2026

Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.45

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
5,856Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ474EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ474EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,856Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
2,805Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJA94EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA94EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,805Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA46EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA46EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA46EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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No en existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.45 mOhms
2.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
30 mOhms