Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
76,227En existencias

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SQJ464EP-T1_GE3

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78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ431EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.73
35,237En existencias

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SQJ431EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ431EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

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S/12.73

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S/5.72

S/4.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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38,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/4.98

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SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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30,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ401EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ401EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.80
48,663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

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S/8.80

S/5.64

S/3.80

S/3.03

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.62
4,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.62

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S/2.79

S/2.20

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SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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28,928En existencias
15,000Se espera el 30/06/2026

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SQJ418EP-T1_GE3

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78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.05
2,840En existencias

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SQJ840EP-T1_GE3

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78-SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.36
3,499En existencias

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SQJ858AEP-T1_GE3

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78-SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.86
3,450En existencias

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SQJ486EP-T1_GE3

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78-SQJ486EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/4.94

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1 Channel

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30 A

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56 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

SQJ465EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.34
20,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ465EP-T1_GE3

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781-SQJ465EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

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S/4.09

S/3.25

S/2.98

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S/2.77

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1 Channel

60 V

8 A

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2.5 V

40 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
46,335En existencias
18,000Se espera el 30/06/2026

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SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/8.33

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S/3.60

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.47

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1.5 V

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+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.89
81,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.89

S/4.40

S/2.92

S/2.30

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S/1.85

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

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1.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ443EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
26,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ443EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.55

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S/2.30

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
51,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.7 mOhms, 22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38.3 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.16
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ412EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

S/4.71

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S/4.44

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ488EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.61
8,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ488EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ488EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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S/9.61

S/6.19

S/4.20

S/3.35

S/3.08

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S/2.88

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

17.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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3,008En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

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S/2.47

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
15,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA84EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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S/4.63

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S/2.24

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S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

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1.5 V

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55 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ456EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/24.99
1,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ456EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ456EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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32 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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30 A

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1.5 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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12 mOhms
14 mOhms
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25 nC
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30 nC
32 nC
34 nC
35 nC
38 nC
38.3 nC, 45 nC
40 nC
44 nC
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