Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 28

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ431EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.73
34,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ431EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ431EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

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S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.63

S/4.48

Envase tipo carrete

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
76,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

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S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

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1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.89
77,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.89

S/4.40

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S/2.10

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1.5 V

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68 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.80
48,655En existencias

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SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

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S/8.80

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Envase tipo carrete

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55 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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4,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA96EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

S/2.00

Envase tipo carrete

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified

SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.36
3,489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified

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S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.48

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S/2.00

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MouseReel Disponible

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55 nC

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.86
2,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA94EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA94EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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S/7.86

S/4.94

S/3.25

S/2.58

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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46 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
60,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

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Envase tipo carrete

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52 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
37,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/7.16

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S/3.05

S/2.41

S/2.20

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N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
32,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.79

S/4.98

S/3.34

S/2.64

S/2.42

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S/2.16

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N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
124,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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124,413En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

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: 3,000

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P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

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2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
51,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.7 mOhms, 22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38.3 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.05
2,840En existencias
3,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ840EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

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2,840En existencias

3,000Se espera el 20/08/2026

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S/11.05

S/7.12

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.58
18,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ402EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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18,409En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.34

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
5,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ860EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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5,979En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
15,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA84EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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15,907En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

46 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.62
4,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA86EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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4,280En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.20

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.40
3,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ148EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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3,439En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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158En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
2,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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1 Channel

12 V

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- 8 V, 8 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
354En existencias
150,000En pedido

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SQJ416EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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418En existencias
9,000Se espera el 19/07/2027

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Vishay Semiconductors
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SQJ952EP-T1_GE3

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23 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

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30 nC

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AEC-Q101

TrenchFET

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Vishay Semiconductors
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9,000Se espera el 5/11/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.36
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SQJ479EP-T1_GE3

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