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NVBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D5N10MCTXG
Price: 31.96 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVBLS1D5N10MCTXG

Fabricante N.º:

NVBLS1D5N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:

NVBLS1D5N10MCTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/31.96	S/31.96
	S/21.68	S/216.80
	S/15.88	S/1,588.00
	S/15.45	S/7,725.00
	S/14.52	S/14,520.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/14.52	S/29,040.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-PSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	300 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	131 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	331 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	230 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	71 ns
Serie:	NVBLS1D5N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	83 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	39 ns

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Hoja de datos

NVBLS1D5N10MCTXG Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVBLS1D5N10MC N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D5N10MC N-Channel PowerTrench^® MOSFET features high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D5N10MC is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.