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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
onsemi Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Hoja de datos
26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray
onsemi Módulos MOSFET 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W NXH008P120M3F1PTG Tray