Mid-Voltage P-Channel MOSFETs

onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are 100V and 150V P-Channel MOSFETs that offer the best in class RDS-ON and Qg in the industry. Each of these devices is produced using PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are ideal for high side switching on motor drives and lighting, active clamp in DC-DC, and load switching.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet 18,815En existencias
Cinta cortada
S/11.25
S/5.61
S/4.87
S/4.09
S/4.05
Envase tipo carrete
S/3.63
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 100 V 4.4 A 67 mOhms 25 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET 5,267En existencias
Cinta cortada
S/10.43
S/5.22
S/4.59
S/3.74
S/3.53
Envase tipo carrete
S/3.06
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET 4,895En existencias
6,000En pedido
Cinta cortada
S/17.44
S/8.95
S/8.10
S/6.89
Envase tipo carrete
S/6.50
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 P-Channel 1 Channel 150 V 22 A 42 mOhms 25 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150 P-Channel PowerTrench MOSFET 731En existencias
18,000En pedido
Cinta cortada
S/7.82
S/3.74
S/3.32
S/2.63
S/2.34
Envase tipo carrete
S/2.00
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT MicroFET-6 P-Channel 1 Channel 150 V 1 A 860 mOhms 25 V 3.2 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET 93En existencias
114,000En pedido
Cinta cortada
S/17.05
S/10.20
S/8.33
S/6.97
S/6.50
Envase tipo carrete
S/6.27
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 P-Channel 1 Channel 100 V 50 A 22 mOhms 25 V 2.8 V 42 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
12,000Se espera el 16/07/2027
Cinta cortada
S/11.52
S/5.68
S/4.94
S/4.09
S/3.93
Envase tipo carrete
S/3.69
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 2.7 A 269 mOhms 25 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel