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RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 8.37 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RH7G04CBKFRATCB

Fabricante N.º:

RH7G04CBKFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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	S/8.37	S/8.37
	S/5.37	S/53.70
	S/3.70	S/370.00
	S/3.14	S/1,570.00
	S/2.74	S/2,740.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.32	S/6,960.00
	S/2.29	S/20,610.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	19.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9..3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14.3 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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