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NVMFD5C650NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C650NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C650NLWFT
Price: 20.16 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NVMFD5C650NLWFT

Fabricante N.º:

NVMFD5C650NLWFT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

Hoja de datos:

NVMFD5C650NLWFT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 19

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/20.16	S/20.16
	S/15.14	S/151.40
	S/10.90	S/1,090.00
	S/10.67	S/5,335.00
	S/9.93	S/9,930.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/8.68	S/13,020.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-Dual-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	111 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	13 ns, 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	120 S, 120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns, 24 ns
Serie:	NVMFD5C650NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns, 37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns, 13 ns
Peso de la unidad:	161.193 mg

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Hoja de datos

NVMFD5C650NLWFT1G Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.