ART1K6FH LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART1K6FH LDMOS RF Power Transistors are 1600W LDMOS RF power transistors based on Advanced Rugged Technology (ART). The Ampleon ART1K6FH transistors cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched transistors offer a 1MHz to 425MHz frequency range. Designed for broadband operation, the Ampleon ART1K6FH transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FH/SOT539/TRAY 132En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray