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LSIC1MO170E0750

Name: IXYS LSIC1MO170E0750
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO170E0750
Price: 32.31 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

576-LSIC1MO170E0750

Fabricante N.º:

LSIC1MO170E0750

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

Hoja de datos:

LSIC1MO170E0750 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/32.31	S/32.31
	S/18.96	S/189.60
	S/16.11	S/1,611.00
	S/16.08	S/7,236.00
10,350	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	6.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	60 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	LSIC1MO
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LSIC1MO170E0750 N-Channel SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750 is a 750mΩ N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET optimized for high-frequency and high-efficiency applications. The low gate resistance and ultra-low on-resistance make it suitable for high-frequency switching applications. This device features extremely low gate charge and output capacitance, as well as normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO170E0750 is suitable for a variety of applications that utilize high-frequency switching, such as switch-mode power supplies, solar inverters, UPS systems, high voltage DC-DC converters, and more.

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.