Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for Seat Control

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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Resultados: 52

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
1: S/14.40
1,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80NF55-06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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1,476En existencias

Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/6.58

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

FDB050AN06A0
onsemi
1: S/14.40
4,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB050AN06A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDB050AN06A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

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4,397En existencias

Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/6.58

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench

FDP050AN06A0
onsemi
1: S/14.36
2,166En existencias
6,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDP050AN06A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDP050AN06A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench

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2,166En existencias

6,400En pedido

S/14.36

S/7.28

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

PowerTrench

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75a 100V N-Ch UltraFET

HUF75645P3
onsemi
1: S/16.66
1,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HUF75645P3

N.º de artículo de Mouser
512-HUF75645P3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75a 100V N-Ch UltraFET

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1,706En existencias

S/16.66

S/8.99

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

238 nC

- 55 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

UltraFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.75
69,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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69,673En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

14.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK

PSMN014-40YS,115
Nexperia
1: S/4.36
14,766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN014-40YS,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN01440YS115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK

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14,766En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.72

S/1.78

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4154DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
14,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4154DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4154DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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14,546En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.06

S/3.49

S/2.87

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

36 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR804DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.43
4,502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR804DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR804DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4,502En existencias

Cinta cortada

S/13.43

S/9.03

S/6.66

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50.8 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET

SUP85N10-10-E3
Vishay Semiconductors
1: S/18.76
684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP85N10-10-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP85N10-10-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET

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684En existencias

S/18.76

S/10.04

S/9.15

S/7.79

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

FDP16AN08A0
onsemi
1: S/10.86
17En existencias
800Se espera el 4/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
FDP16AN08A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDP16AN08A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

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Hoja de datos

17En existencias

800Se espera el 4/06/2027

S/10.86

S/6.42

S/5.06

S/4.24

S/3.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

58 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

PowerTrench

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35A 55V N-Channel UltraFET

HUF75321P3
onsemi
1: S/8.10
140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HUF75321P3

N.º de artículo de Mouser
512-HUF75321P3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35A 55V N-Channel UltraFET

Hoja de datos

140En existencias

S/8.10

S/3.93

S/3.50

S/2.79

S/2.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

35 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

UltraFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Ch

MTP3055VL
onsemi
1: S/9.19
1,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MTP3055VL

N.º de artículo de Mouser
512-MTP3055VL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Ch

Hoja de datos

1,290En existencias

S/9.19

S/4.48

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

180 mOhms

- 15 V, 15 V

1 V

10 nC

- 65 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC050N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.02
619En existencias
5,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

619En existencias

5,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.58

S/2.23

S/1.54

Ver

Envase tipo carrete

S/0.841

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N04N G
Infineon Technologies
1: S/8.37
823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP041N04N G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N04NG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

823En existencias

S/8.37

S/4.05

S/3.60

S/2.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK

PSMN018-80YS,115
Nexperia
1: S/5.72
280En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PSMN018-80YS,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN01880YS115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK

Hoja de datos

280En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/5.72

S/3.60

S/2.39

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

80 V

45 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN045-80YS/SOT669/LFPAK

PSMN045-80YS,115
Nexperia
1: S/4.20
1,827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN045-80YS,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN04580YS115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN045-80YS/SOT669/LFPAK

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Hoja de datos

1,827En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.62

S/1.71

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

80 V

24 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V

SI4456DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/13.35
298En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SI4456DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4456DY-T1-E3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V

Hoja de datos

298En existencias

Cinta cortada

S/13.35

S/8.87

S/6.34

S/5.37

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

33 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: S/3.89
7,103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

7,103En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.76

S/1.72

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC123N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.47
474En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

474En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.71

S/3.09

S/2.45

Ver

Envase tipo carrete

S/1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

55 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.38
799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

799En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/3.93

S/2.60

S/2.04

Ver

Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM050NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/10.94
2,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM050NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM050NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,608En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.08

S/4.87

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.52

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

60 V

104 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

114 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS86520
onsemi
1: S/9.93
3,000Se espera el 18/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86520

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86520

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

3,000Se espera el 18/08/2026

Cinta cortada

S/9.93

S/5.92

S/4.13

S/3.43

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

42 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ040N04LS G
Infineon Technologies
1: S/7.20
802Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ040N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

802Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/7.20

S/4.44

S/2.92

S/2.30

Ver

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/1.15
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.15

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/1.83
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.83

S/1.70

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

MOSFETs for Seat Control

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
10 A
12 A
15 A
22 A
23 A
24 A
26 A
32 A
33 A
35 A
36 A
37 A
39 A
40 A
41 A
42 A
45 A
47 A

800 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms
5.4 mOhms
6 mOhms
6.5 mOhms
6.7 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms
7.4 mOhms

9.1 nC
10 nC
12 nC
12.5 nC
18 nC
20 nC
24 nC
25 nC
26 nC
28 nC
37 nC
40 nC
41 nC
42 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48 nC
50.8 nC
56 nC

2.5 W
3.1 W
7.8 W
32 W
35 W
48 W
50 W
56 W
57 W
60 W
66 W
68 W
69 W
83 W
89 W
93 W
94 W
104 W
107 W
117 W