Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
3,444En existencias
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IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH42NE2LM7ZCGS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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S/14.87

S/9.69

S/7.59

S/6.34

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.53

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: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

460 A

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
16,076En existencias
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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH46NE2LM7ZCGS

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Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.18

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 1
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: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

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12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
5,381En existencias
Nuevo producto

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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH64NE2LM7UCGS

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Cinta cortada

S/12.77

S/7.59

S/5.72

S/4.59

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

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SMD/SMT

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1 Channel

25 V

348 A

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2 V

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+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.30
4,478En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

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726-IQEH50NE2LM7ZCGA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/12.30

S/8.10

S/5.68

S/4.75

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Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

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+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.99
4,426En existencias
Nuevo producto

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1

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Cinta cortada

S/11.99

S/7.82

S/5.61

S/4.59

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Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
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1 Channel

25 V

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150 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
5,321En existencias
Nuevo producto

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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7UCGS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/13.20

S/8.56

S/6.07

S/4.94

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Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
4,478En existencias
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IQEH68NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.06

S/4.09

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Envase tipo carrete

S/3.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
5,189En existencias
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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5,189En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/6.89

S/4.71

S/3.77

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Envase tipo carrete

S/3.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
4,472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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4,472En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.40

S/3.52

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Envase tipo carrete

S/3.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.17
5,950Se espera el 28/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH46NE2LM7UCGS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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5,950Se espera el 28/05/2026

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S/14.17

S/9.23

S/7.24

S/6.03

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

440 A

460 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

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