2N7002H N-Channel Trench MOSFETs

Nexperia 2N7002H N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) MOSFETs. The 2N7002H is housed in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible, have very fast switching, and are AEC-Q101 qualified.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V .36A
Hoja de datos
8,303En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 60V .32A
Hoja de datos
7,495En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V .31A
Hoja de datos
13,473En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel