Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 79

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
1: S/6.23
947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

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Hoja de datos

947En existencias

S/6.23

S/2.93

S/2.36

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

XP10TN028YT
YAGEO XSemi
1: S/3.81
2,615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN028YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN028YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

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2,615En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.39

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

3.125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

XP10TN135H
YAGEO XSemi
1: S/2.53
2,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

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Hoja de datos

2,893En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.55

S/0.996

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

8.1 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

XP10TN135N
YAGEO XSemi
1: S/1.79
2,708En existencias
3,000Se espera el 8/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135N

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

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Hoja de datos

2,708En existencias

3,000Se espera el 8/12/2026

Cinta cortada

S/1.79

S/1.09

S/0.693

S/0.518

Envase tipo carrete

S/0.385

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

XP1504MT
YAGEO XSemi
1: S/3.70
2,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

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2,975En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.31

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

150 V

15.8 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3

XP1504YT
YAGEO XSemi
1: S/3.39
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.814

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

150 V

15.8 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.12 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

XP2344GN
YAGEO XSemi
1: S/1.60
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2344GN

N.º de artículo de Mouser
603-XP2344GN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

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2,731En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/0.977

S/0.615

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.343

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.4 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723

XP2N1K2EN1
YAGEO XSemi
1: S/0.973
9,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2N1K2EN1

N.º de artículo de Mouser
603-XP2N1K2EN1

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723

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9,784En existencias

Cinta cortada

S/0.973

S/0.603

S/0.378

S/0.276

Envase tipo carrete

S/0.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

1.2 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700M
YAGEO XSemi
1: S/2.34
2,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700M

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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2,890En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.43

S/0.911

S/0.833

Envase tipo carrete

S/0.487

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5.5 A, 7.8 A

20 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

5 nC, 5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3C023AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.81
1,554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3C023AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3C023AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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1,554En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.37

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

12 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

3.57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 10A PMPAK-3x3

XP3N020YT
YAGEO XSemi
1: S/1.71
2,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N020YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N020YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 10A PMPAK-3x3

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2,488En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.05

S/0.666

S/0.498

Envase tipo carrete

S/0.343

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

3.12 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6

XP3N2R8AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.89
2,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N2R8AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N2R8AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,973En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.42

S/1.58

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

103 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6

XP3N5R0AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.08
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N5R0AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N5R0AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.91

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3

XP3N5R0AYT
YAGEO XSemi
1: S/2.72
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N5R0AYT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N5R0AYT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3

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Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.70

S/1.09

S/0.825

Envase tipo carrete

S/0.588

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

3.12 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 62A TO-252

XP3N5R0H
YAGEO XSemi
1: S/2.72
2,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N5R0H

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N5R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 62A TO-252

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Hoja de datos

2,342En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.09

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.615

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 17.4 A SO-8

XP3N5R0M
YAGEO XSemi
1: S/2.57
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N5R0M

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N5R0M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 17.4 A SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.59

S/1.02

S/0.817

Envase tipo carrete

S/0.568

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17.4 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.5 A TO-252

XP3N9R5AH
YAGEO XSemi
1: S/2.18
2,911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N9R5AH

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N9R5AH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.5 A TO-252

Obtenga más información

Hoja de datos

2,911En existencias

Cinta cortada

S/2.18

S/1.35

S/0.86

S/0.65

Envase tipo carrete

S/0.463

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

30 V

38.5 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.7 A PMPAK-5x6

XP3N9R5AMT
YAGEO XSemi
1: S/2.26
2,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N9R5AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N9R5AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.7 A PMPAK-5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,996En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.40

S/0.891

S/0.67

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38.7 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3

XP3N9R5AYT
YAGEO XSemi
1: S/2.06
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N9R5AYT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N9R5AYT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.28

S/0.81

S/0.607

Envase tipo carrete

S/0.428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38.7 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

3.57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6

XP3NA2R4MT
YAGEO XSemi
1: S/3.89
2,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3NA2R4MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3NA2R4MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,976En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.59

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.954

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

118 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6

XP3NA3R4MT
YAGEO XSemi
1: S/3.08
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3NA3R4MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3NA3R4MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.91

S/1.23

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6

XP3NA7R2MT
YAGEO XSemi
1: S/2.76
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XP3NA7R2MT

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603-XP3NA7R2MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6

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S/2.76

S/1.70

S/1.09

S/0.833

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S/0.576

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

43.5 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8

XP3P010M
YAGEO XSemi
1: S/3.66
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XP3P010M

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YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8

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S/1.48

S/1.13

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S/0.821

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: 3,000

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

13.3 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

XP3P010YT
YAGEO XSemi
1: S/3.78
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XP3P010YT

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603-XP3P010YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

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S/2.35

S/1.53

S/1.17

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S/0.938

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: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

14.6 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

3.12 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8

XP3P020M
YAGEO XSemi
1: S/2.22
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XP3P020M

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603-XP3P020M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8

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S/2.22

S/1.35

S/1.04

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.483

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9.3 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC