BC846B-Q

Diotec Semiconductor
637-BC846B-Q
BC846B-Q

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

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Diotec Semiconductor
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
100 mA
65 V
80 V
6 V
200 mV
250 mW
300 MHz
- 55 C
+ 150 C
Reel
Marca: Diotec Semiconductor
Corriente continua del colector: 100 mA
Máx. ganancia de CC hFE: 800 V
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BCx Bipolar Transistors

Diotec Semiconductor BCx Bipolar Transistors are general-purpose NPN transistors. These transistors include general-purpose Si-Epitaxial planar transistors (BCx) as well. The BCx bipolar transistors are arranged into three groups based on current gains. The BCx transistors feature up to 1.3W power dissipation, are available in multiple package types, and are compliant with RoHS, REACH, and conflict minerals. Typical applications include switching, signal processing, and commercial-grade applications.

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW of power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW of power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.

En existencias: 71,400

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/0.389 S/0.39
S/0.241 S/2.41
S/0.202 S/20.20
S/0.16 S/80.00
S/0.14 S/140.00
S/0.105 S/262.50
S/0.07 S/700.00
S/0.066 S/1,650.00
S/0.054 S/2,700.00

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