Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

TK095N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK095N65Z5S1F
Price: 26.94 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-TK095N65Z5S1F

Fabricante N.º:

TK095N65Z5,S1F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

TK095N65Z5,S1F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba TK095N65Z5,S1F

En existencias: 30

Existencias:: 30 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/26.94	S/26.94
	S/18.18	S/181.80
	S/15.26	S/1,831.20
	S/13.90	S/7,089.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	95 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	230 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	75 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TK095N65Z5,S1F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET

Toshiba TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET is a 650V, 95mΩ high-speed MOSFET in a TO-247 package. Designed for use in switching voltage regulator applications, TK095N65Z5 offers a fast recovery time (115ns typical) and a low drain-source on-resistance (0.079Ω typical). This MOSFET provides high-speed switching properties with a low capacitance.