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OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)]. The 80V MOSFETs are available in dual-sided cooled packages (WSON-8) while the 100V MOSFET comes in a standard TDSON-8 package. Each package offers superior thermal resistance and is 100% avalanche tested. Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs feature a soft-recovery diode and are lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V ISC016N08NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.80 14,992En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC016N08NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC016N08NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	14,992En existencias	Cinta cortada S/15.80 S/8.02 S/7.28 S/6.03 Ver Envase tipo carrete S/5.72 S/5.80 S/5.72 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7 IPF009N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/25.77 579En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPF009N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF009N10NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	579En existencias	Cinta cortada S/25.77 S/13.66 S/12.49 S/11.60 Envase tipo carrete S/10.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7 IPF014N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/21.88 1,874En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPF014N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF014N10NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	1,874En existencias	Cinta cortada S/21.88 S/11.44 S/10.43 S/9.85 Envase tipo carrete S/8.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package ISC033N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.07 3,200En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC033N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC033N10NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	3,200En existencias	Cinta cortada S/12.07 S/5.99 S/5.41 S/4.36 Ver Envase tipo carrete S/3.43 S/4.24 S/4.16 S/3.43	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in DPAK-7 IPF019N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/5.80 1,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPF019N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PF019N10NM8ATMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in DPAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	1,000En existencias	Envase tipo carrete S/5.80 S/5.25	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK IPB018N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/19.15 505En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB018N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N10NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	505En existencias	Cinta cortada S/19.15 S/9.89 S/8.99 S/7.82 Envase tipo carrete S/6.89 S/6.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in SuperSO8 package Infineon Technologies ISC040N10NM8ATMA1 ISC040N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.85 4,998En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC040N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SC040N10NM8ATMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in SuperSO8 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	4,998En existencias	Cinta cortada S/9.85 S/5.68 S/4.32 S/3.56 S/3.43 Envase tipo carrete S/2.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK Infineon Technologies IPB013N10NM8ATMA1 IPB013N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.36 500En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB013N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PB013N10NM8ATMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	500En existencias	Cinta cortada S/23.36 S/12.30 S/11.21 S/10.20 Envase tipo carrete S/9.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in TOLL Infineon Technologies IPT018N10NM8ATMA1 IPT018N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.92 460En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT018N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PT018N10NM8ATMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Infineon OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in TOLL Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	460En existencias	Cinta cortada S/18.92 S/9.77 S/8.87 S/7.67 Envase tipo carrete S/6.34 S/6.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V ISC016N08NM8SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/27.64 14En existencias 8,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC016N08NM8SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC016N08NM8SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	14En existencias 8,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC016N08NM8SCATMA1 Existencias: 14 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 4,000 Se espera el 7/12/2026 4,000 Se espera el 28/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/27.64 S/14.75 S/13.51 S/12.77 S/11.68 Envase tipo carrete S/10.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL IPT009N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/26.86 3,866En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT009N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N10NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	3,866En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPT009N10NM8ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,866 Se espera el 5/08/2027 2,000 Se espera el 19/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/26.86 S/17.98 S/14.44 S/12.85 S/10.32 Envase tipo carrete S/10.28	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package ISC019N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.76 4,983Se espera el 1/04/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC019N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N10NM8ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	4,983Se espera el 1/04/2027	Cinta cortada S/18.76 S/9.69 S/8.80 S/7.59 Envase tipo carrete S/7.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V ISC019N10NM8SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.20 3,970Se espera el 16/09/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC019N10NM8SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N10NM8SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 8 power mosfets	Hoja de datos	3,970Se espera el 16/09/2027	Cinta cortada S/23.20 S/12.18 S/11.13 S/10.08 Envase tipo carrete S/8.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000

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