Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.06
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ISC016N08NM8ATMA1

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726-ISC016N08NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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S/6.70

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: 5,000

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1 Channel

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268 A

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3.5 V

76 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

IPB018N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
1,000Se espera el 26/05/2026
Nuevo producto

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IPB018N10NM8ATMA1

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726-IPB018N10NM8ATMA

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S/16.27

S/10.63

S/8.33

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.07

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357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.00
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726-IPF009N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

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S/26.00

S/17.05

S/12.57

S/11.17

Envase tipo carrete

S/9.85

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3.2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
4,000Se espera el 7/01/2027
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726-ISC016N08NM8SCAT

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S/15.14

S/13.47

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.87

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.28
1,000Se espera el 26/05/2026
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ISC019N10NM8ATMA1

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726-ISC019N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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S/7.47

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3.2 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

ISC019N10NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.66
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ISC019N10NM8SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8SCAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

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S/35.66

S/25.18

S/20.98

S/18.68

S/17.48

Envase tipo carrete

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245 A

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3.2 V

106 nC

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+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.69
500Se espera el 26/05/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IPF014N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

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500Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/22.69

S/14.87

S/10.98

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Envase tipo carrete

S/8.56

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TO-263-7

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1 Channel

100 V

321 A

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- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

IPT009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.32
500Se espera el 28/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N10NM8ATMA

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S/15.30

S/11.25

S/10.00

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.84

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

484 A

0.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

255 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.72
1,000Se espera el 26/05/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC033N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC033N10NM8ATMA

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S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.33 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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