GaN FETs MV GAN DISCRETES
IGC033S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.71
9,960 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S10S1XTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
9,960 En existencias
1
S/17.71
10
S/11.33
100
S/8.33
500
S/7.12
2,500
S/6.89
5,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
SMD/SMT
PG-TSON-6
HEMT
1 Channel
100 V
76 A
3.3 mOhms
- 4 V, + 5.5 V
2.9 V
11 nC
- 40 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolGaN
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
IGB070S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.08
3,526 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IGB070S10S1XTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
3,526 En existencias
1
S/13.08
10
S/8.29
100
S/5.92
500
S/4.83
1,000
Ver
5,000
S/3.82
1,000
S/4.71
2,500
S/4.52
5,000
S/3.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
SMD/SMT
1 Channel
100 V
38 A
7 mOhms
6.5 V
2.9 V
6.1 nC
- 40 C
+ 150 C
23 W
Enhancement
CoolGaN
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
IGB110S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.72
2,724 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S10S1XTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
2,724 En existencias
1
S/8.72
10
S/5.41
100
S/3.85
500
S/3.22
5,000
S/2.53
10,000
Ver
1,000
S/2.95
2,500
S/2.90
10,000
S/2.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
SMD/SMT
1 Channel
100 V
23 A
11 mOhms
6.5 V
2.9 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
15 W
Enhancement
CoolGaN
GaN FETs MV GAN DISCRETES
IGC033S101XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.91
3,677 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S101XTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
3,677 En existencias
1
S/17.91
10
S/11.56
100
S/8.33
500
S/7.12
2,500
S/6.66
5,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
SMD/SMT
PG-VSON-6
HEMT
1 Channel
100 V
76 A
3.3 mOhms
- 4 V, + 5.5 V
2.9 V
11 nC
- 40 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolGaN
GaN FETs MV GAN DISCRETES
IGB110S101XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.38
1,915 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S101XTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
GaN FETs MV GAN DISCRETES
1,915 En existencias
1
S/9.38
10
S/5.80
100
S/4.05
500
S/3.27
5,000
S/2.53
10,000
Ver
1,000
S/2.95
2,500
S/2.90
10,000
S/2.41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
SMD/SMT
PG-VSON-4
HEMT
1 Channel
100 V
23 A
- 4 V, + 5.5 V
2.9 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
15 W
Enhancement
CoolGaN