Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

TK560P60Y,RQ
Toshiba
1: S/9.77
1,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK560P60Y,RQ

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757-TK560P60YRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

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Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.28

S/3.43

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A

TK290A60Y,S4X
Toshiba
1: S/12.18
1,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK290A60Y,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK290A60YS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A

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1,043En existencias

S/12.18

S/5.76

S/4.44

S/3.97

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

TK380P60Y,RQ
Toshiba
1: S/10.82
3,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK380P60Y,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK380P60YRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

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Cinta cortada

S/10.82

S/7.01

S/4.79

S/3.87

S/3.61

Envase tipo carrete

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A

TK290P65Y,RQ
Toshiba
1: S/13.35
3,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK290P65Y,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK290P65YRQ

Toshiba

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Cinta cortada

S/13.35

S/8.68

S/5.99

S/4.94

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A

TK560P65Y,RQ
Toshiba
1: S/9.15
1,367En existencias

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TK560P65Y,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK560P65YRQ

Toshiba

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Cinta cortada

S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TK290A65Y,S4X
Toshiba
1: S/13.16
117En existencias

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TK290A65Y,S4X

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757-TK290A65YS4X

Toshiba

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S/13.16

S/6.58

S/6.07

S/4.55

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK290P60Y,RQ
Toshiba
1: S/11.99
751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK290P60Y,RQ

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757-TK290P60YRQ

Toshiba

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751En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.79

S/5.37

S/4.36

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A

TK560A65Y,S4X
Toshiba
1: S/11.41
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TK560A65Y,S4X

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757-TK560A65YS4X

Toshiba

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S/11.41

S/6.62

S/5.06

S/3.69

S/3.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380A60Y,S4X
Toshiba
1: S/11.17
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TK380A60Y,S4X

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757-TK380A60YS4X

Toshiba

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S/11.17

S/5.53

S/4.48

S/3.69

S/3.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK380A65Y,S4X
Toshiba
1: S/12.49
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TK380A65Y,S4X

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Toshiba

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S/12.49

S/6.23

S/5.37

S/4.52

S/4.09

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380P65Y,RQ
Toshiba
2,000: S/3.88
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TK380P65Y,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK380P65YRQ

Toshiba

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S/3.88

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A

TK560A60Y,S4X
Toshiba
1: S/10.16
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK560A60Y,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK560A60YS4X

Toshiba

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

S/10.16

S/4.98

S/4.44

S/3.57

S/3.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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