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MMBT3906T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3906TRSG
Price: 0.81 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-MMBT3906TRSG

Fabricante N.º:

MMBT3906T RSG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

Hoja de datos:

MMBT3906T RSG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/0.817	S/0.82
	S/0.49	S/4.90
	S/0.308	S/30.80
	S/0.226	S/113.00
	S/0.199	S/199.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.16	S/480.00
	S/0.144	S/864.00
	S/0.117	S/1,053.00
	S/0.113	S/2,712.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-523-3
Polaridad del transistor:	PNP
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	200 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	40 V
Tensión VCBO colector-base:	40 V
Voltaje VEBO emisor-base:	5 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	400 mV
Dp - Disipación de potencia :	150 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Corriente continua del colector:	200 mA
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	30
Máx. ganancia de CC hFE:	300
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (V_CBO), -40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and -5V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.