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RS1L151ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1L151ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1L151ATTB1
Price: 14.99 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RS1L151ATTB1

Fabricante N.º:

RS1L151ATTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 P-CH 60V 56A

Hoja de datos:

RS1L151ATTB1 Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/14.99	S/14.99
	S/9.07	S/90.70
	S/6.93	S/693.00
	S/6.15	S/3,075.00
	S/5.76	S/5,760.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/4.98	S/12,450.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	130 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	220 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	25 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	70 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	350 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Alias de las piezas n.º:	RS1L151AT

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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