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DMN3012LEG-7

Name: Diodes Incorporated DMN3012LEG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3012LEG-7
Price: 8.56 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN3012LEG-7

Fabricante N.º:

DMN3012LEG-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Hoja de datos:

DMN3012LEG-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.56	S/8.56
	S/5.49	S/54.90
	S/3.78	S/378.00
	S/3.21	S/1,605.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/2.55	S/2,550.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI3333-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A, 10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	6.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	2.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.1 ns
Peso de la unidad:	30 mg

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DMN3012LEG MOSFET

Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET is a 30V synchronous N-channel enhancement-mode MOSFET with low on-resistance and fast switching speed. This RoHS-compliant MOSFET offers low input capacitance and improved reliability with 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) ruggedness tested at production. The DMN3012LEG MOSFET features a Lateral Diffused MOS (LDMOS) design that reduces power losses and is optimized for high power density, high efficiency, and high-frequency capability. This MOSFET is ideal for DC-DC converters and high-efficiency power management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.