Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 27

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
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2,616En existencias

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IPW60R040C7XKSA1

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726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

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2,616En existencias

S/50.56

S/30.44

S/25.46

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+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
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7,086En existencias

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IPD60R180C7ATMA1

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726-IPD60R180C7ATMA1

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Cinta cortada

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S/6.85

S/5.80

S/5.10

S/4.79

Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

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IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
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808En existencias

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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726-IPL60R185C7AUMA1

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Cinta cortada

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S/8.37

S/6.62

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape

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IPA60R099C7XKSA1
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IPA60R099C7XKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R120C7XKSA1

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IPB60R060C7ATMA1

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Infineon Technologies
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IPB60R099C7ATMA1

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IPB60R180C7ATMA1
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IPB60R180C7ATMA1

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Enhancement

CoolMOS

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IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R040C7XKSA1

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334En existencias

S/47.92

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
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221En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120C7XKSA1

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726-IPW60R120C7XKSA1

NRND

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S/24.41

S/12.57

S/11.48

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/45.27
330En existencias
1,000Se espera el 3/09/2026

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IPB60R040C7ATMA1

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726-IPB60R040C7ATMA1

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330En existencias

1,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/45.27

S/26.90

S/26.27

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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50 A

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107 nC

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227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
2,712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R104C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R104C7AUMA1

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S/25.96

S/13.78

S/12.42

S/11.99

Envase tipo carrete

S/11.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

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83 A

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3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

122 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.95
436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

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436En existencias

S/34.95

S/19.07

S/17.56

S/16.47

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

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+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/85.67
441En existencias
960En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

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441En existencias

960En pedido

S/85.67

S/52.86

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

109 A

17 mOhms

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3 V

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- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.50
690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

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690En existencias

S/35.50

S/20.59

S/19.00

S/18.96

S/18.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.23
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

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192En existencias

S/35.23

S/19.27

S/17.71

S/16.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.10
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

548En existencias

S/15.10

S/7.63

S/7.28

S/5.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

346 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.79
53En existencias
240Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

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53En existencias

240Se espera el 10/09/2026

S/27.79

S/14.48

S/13.31

S/12.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

177En existencias

S/19.27

S/9.69

S/8.84

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/34.84
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

5En existencias

Cinta cortada

S/34.84

S/24.17

S/18.80

S/17.44

S/16.00

Envase tipo carrete

S/16.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.37
583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

583En existencias

S/21.37

S/11.13

S/10.16

S/8.52

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

860En existencias

S/15.18

S/7.71

S/7.36

S/6.11

Ver

Min.: 1
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N-Channel

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13 A

155 mOhms

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24 nC

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
25En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1

NRND

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Hoja de datos

25En existencias

S/31.18

S/16.50

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