Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A

HT8KB6TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.67
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HT8KB6TB1

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755-HT8KB6TB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A

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S/7.67

S/4.90

S/3.39

S/2.88

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

17.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN

HT8KE6HTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.95
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HT8KE6HTB1

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755-HT8KE6HTB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN

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S/8.95

S/5.72

S/3.97

S/3.36

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

12.5 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

6.3 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KB6TB1
ROHM Semiconductor
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HP8KB6TB1

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755-HP8KB6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Cinta cortada

S/8.80

S/5.68

S/3.84

S/3.07

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.77

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

40 V

24 A

15.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KB7TB1
ROHM Semiconductor
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HP8KB7TB1

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755-HP8KB7TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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4,969En existencias

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S/13.47

S/8.80

S/6.15

S/5.33

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.98

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

40 V

24 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KC6TB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.84
4,780En existencias

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HP8KC6TB1

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755-HP8KC6TB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.78

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KC7TB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.51
4,966En existencias

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HP8KC7TB1

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755-HP8KC7TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Cinta cortada

S/13.51

S/8.84

S/6.19

S/5.33

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.98

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

60 V

24 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.95
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HP8KE6TB1

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755-HP8KE6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.13

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

100 V

17 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KE7TB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.90
4,740En existencias

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HP8KE7TB1

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755-HP8KE7TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Cinta cortada

S/13.90

S/9.11

S/6.38

S/5.57

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.18

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

100 V

24 A

19.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8MB5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.71
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HP8MB5TB1

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755-HP8MB5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.31

S/2.63

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.30

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

16.5 A, 18 A

46 mOhms, 44 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.71
4,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HP8MC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8MC5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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4,796En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.31

S/2.63

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

12 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

3.1 nC, 17.3 nC

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+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8ME5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.75
10,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HP8ME5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8ME5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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10,423En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.33

S/2.65

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

8.5 A, 8 A

193 mOhms, 273 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC, 19.7 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KB5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.07
9,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KB5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KB5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

9,000En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.83

S/2.56

S/2.01

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.65

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

12 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KC5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.11
6,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KC5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

6,782En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.85

S/2.57

S/2.02

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

10 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KC6TB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.25
3,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KC6TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KC6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

3,755En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.57

S/2.84

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.15
5,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KE5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

5,978En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.87

S/2.58

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

7 A

193 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE6TB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.64
225En existencias
6,000Se espera el 21/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
HT8KE6TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

225En existencias

6,000Se espera el 21/05/2026

Cinta cortada

S/8.64

S/5.53

S/3.79

S/3.13

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

13 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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