Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KE6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.58 4,860En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KE6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,860En existencias	Cinta cortada S/9.58 S/4.67 S/4.05 S/3.34 Envase tipo carrete S/2.98 Ver S/3.16 S/2.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	100 V	17 A	54 mOhms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KE6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.07 5,917En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KE6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5,917En existencias	Cinta cortada S/9.07 S/4.40 S/3.83 S/3.14 Envase tipo carrete S/2.65 Ver S/2.95 S/2.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	13 A	57 mOhms	20 V	2.5 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KE7TB1 ROHM Semiconductor 1: S/14.87 4,624En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KE7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,624En existencias	Cinta cortada S/14.87 S/7.51 S/6.70 S/5.57 S/5.53 Envase tipo carrete S/5.18	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	100 V	24 A	19.6 mOhms	20 V	2.5 V	19.8 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KE5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/6.58 5,978En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KE5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5,978En existencias	Cinta cortada S/6.58 S/3.11 S/2.67 S/2.18 Envase tipo carrete S/1.77 Ver S/2.01 S/1.74 S/1.68	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	7 A	193 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8ME5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.29 10,422En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8ME5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8ME5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	10,422En existencias	Cinta cortada S/8.29 S/4.01 S/3.43 S/2.83 Envase tipo carrete S/2.34 Ver S/2.66 S/2.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	100 V	8 A, 8.5 A	193 mOhms, 273 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC, 19.7 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN HT8KE6HTB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.15 2,962En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante HT8KE6HTB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KE6HTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	2,962En existencias	Cinta cortada S/9.15 S/4.48 S/4.01 S/3.18 S/3.08 Envase tipo carrete S/2.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	100 V	12.5 A	60 mOhms	20 V	4 V	6.3 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KC6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.46 4,570En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KC6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KC6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,570En existencias	Cinta cortada S/9.46 S/4.63 S/4.13 S/3.29 Envase tipo carrete S/3.02 Ver S/3.19 S/2.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	60 V	23 A	27 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8MC5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.21 4,536En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8MC5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8MC5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,536En existencias	Cinta cortada S/8.21 S/3.97 S/3.55 S/2.81 Envase tipo carrete S/2.42 Ver S/2.69 S/2.30	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	60 V	12 A	90 mOhms, 96 mOhms	20 V	2.5 V	3.1 nC, 17.3 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A HT8KB6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.21 2,560En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KB6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	2,560En existencias	Cinta cortada S/8.21 S/3.97 S/3.53 S/2.80 S/2.68 Envase tipo carrete S/2.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	40 V	15 A	17.2 mOhms	20 V	2.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KC5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/6.50 6,472En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KC5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	6,472En existencias	Cinta cortada S/6.50 S/3.08 S/2.75 S/2.16 Envase tipo carrete S/2.00 Ver S/1.77 S/1.67	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	60 V	10 A	90 mOhms	20 V	2.5 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KB6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/9.42 5,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KB6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KB6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/9.42 S/4.59 S/4.13 S/3.29 S/3.20 Envase tipo carrete S/2.77	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	40 V	24 A	15.7 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KB7TB1 ROHM Semiconductor 1: S/14.40 4,969En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KB7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KB7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,969En existencias	Cinta cortada S/14.40 S/7.28 S/6.58 S/5.37 Envase tipo carrete S/5.06 Ver S/5.33 S/4.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	40 V	24 A	8 mOhms	20 V	2.5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8KC7TB1 ROHM Semiconductor 1: S/14.48 4,956En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8KC7TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8KC7TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,956En existencias	Cinta cortada S/14.48 S/7.32 S/6.62 S/5.37 Envase tipo carrete S/4.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel	2 Channel	60 V	24 A	11.5 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HP8MB5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.21 4,925En existencias	N.º de artículo del Fabricante HP8MB5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HP8MB5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	4,925En existencias	Cinta cortada S/8.21 S/3.97 S/3.55 S/2.81 Envase tipo carrete S/2.42 Ver S/2.69 S/2.30	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	HSOP-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	60 V	16.5 A, 18 A	46 mOhms, 44 mOhms	20 V	2.5 V	3.5 nC, 17.2 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KB5TB1 ROHM Semiconductor 1: S/6.50 9,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KB5TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB5TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	9,000En existencias	Cinta cortada S/6.50 S/3.07 S/2.74 S/2.15 Envase tipo carrete S/1.72 Ver S/1.70 S/1.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	40 V	12 A	47 mOhms	20 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	13 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. HT8KC6TB1 ROHM Semiconductor 1: S/8.80 3,755En existencias	N.º de artículo del Fabricante HT8KC6TB1 N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC6TB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm hp8k ht8k mosfets	Hoja de datos	3,755En existencias	Cinta cortada S/8.80 S/4.28 S/3.82 S/3.04 Envase tipo carrete S/2.66 Ver S/2.93 S/2.53	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	2 Channel	60 V	15 A	29 mOhms	20 V	2.5 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	14 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

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