SI7454FDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/5.25 S/5.25
S/3.35 S/33.50
S/2.04 S/204.00
S/1.66 S/830.00
S/1.53 S/1,530.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/1.37 S/4,110.00
S/1.30 S/7,800.00
S/1.24 S/11,160.00
S/1.23 S/29,520.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
100 V
23.5 A
29.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 33 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET with very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Si7454FDP has a 23.5A ID and 8nC Qg. The Vishay / Siliconix Si7454FDP MOSFET is housed in a single PowerPAK® SO-8 package and has a specified -55°C to +150°C operating junction and storage temperature range.

Si74 MOSFETs

Vishay Si74 MOSFETs feature TrenchFET® technology that lowers the on-resistance, ensuring reliability and performance in a 30V to 250V range. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. Housed in the PowerPAK® package, these MOSFETs boast low thermal resistance, compact size, and a slim 1.07 mm profile, making them ideal for applications where space and thermal management are critical.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.