R8002ANJ & R8005ANJ & R8008ANJ Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002ANJ and R8005ANJ and R8008ANJ Power MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. The MOSFETs are suitable for switching applications. The devices feature low on-resistance, have a fast switching speed, and a gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,919En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape