Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs provide an alternative to D²PAK by delivering an industry-leading power density in an innovative 8mm x 8mm footprint. These Nexperia MOSFETs deliver 2x higher continuous current ratings, ultimate thermal performance and reliability, and up to 60% space efficiency. Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs are available in automotive AEC-Q101 and industrial grades.

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Resultados: 9

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL TRENCH STD LEVEL

BUK7S1R2-40HJ
Nexperia
1: S/15.49
1,910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S1R2-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S1R2-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL TRENCH STD LEVEL

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Hoja de datos

1,910En existencias

Cinta cortada

S/15.49

S/10.08

S/7.08

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

43 V

300 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 260 A

BUK7S1R5-40HJ
Nexperia
1: S/16.54
6,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S1R5-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S1R5-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 260 A

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6,930En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.86

S/7.63

S/6.42

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

43 V

260 A

3.27 mOhms

- 20 V, 20 V

4.3 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 140 A

BUK7S2R5-40HJ
Nexperia
1: S/12.61
9,040En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S2R5-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S2R5-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 140 A

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Hoja de datos

9,040En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/5.68

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

2.5 mOhms

- 10 V, 20 V

4.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 500A

BUK7S0R5-40HJ
Nexperia
1: S/31.57
1,516En existencias
4,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S0R5-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S0R5-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 500A

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1,516En existencias

4,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/31.57

S/18.33

S/13.51

S/11.99

S/11.17

Envase tipo carrete

S/11.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

500 A

500 uOhms

- 10 V, 20 V

3.6 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 50V 200A

PSMN1R5-50YLHX
Nexperia
1: S/15.53
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R5-50YLHX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R5-50YLHX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 50V 200A

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1,075En existencias

Cinta cortada

S/15.53

S/10.16

S/7.16

S/5.99

S/5.92

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

50 V

200 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 55V 200A

PSMN2R0-55YLHX
Nexperia
1: S/15.73
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN2R0-55YLHX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN2R0-55YLHX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 55V 200A

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53En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/11.52

S/6.77

S/5.68

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

55 V

200 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

119 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 325A

BUK7S1R0-40HJ
Nexperia
1: S/14.36
7,997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S1R0-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S1R0-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 325A

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7,997En pedido

Cinta cortada

S/14.36

S/9.34

S/6.58

S/5.49

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

325 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 190A

BUK7S2R0-40HJ
Nexperia
1: S/12.38
6,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S2R0-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S2R0-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 190A

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6,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/12.38

S/8.02

S/6.03

S/4.90

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

2 mOhms

- 10 V, 20 V

3.6 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 425 A

BUK7S0R7-40HJ
Nexperia
2,000: S/9.93
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK7S0R7-40HJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S0R7-40HJ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 40V 425 A

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.93

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

LFPAK-88-4

N-Channel

1 Channel

40 V

425 A

700 uOhms

- 10 V, 20 V

3 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel

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