Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 48

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.30
5En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

503En existencias

Cinta cortada

S/24.60

S/16.50

S/11.87

S/10.94

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

664En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.41

S/8.02

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

439 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
8En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/9.58

S/6.11

S/4.13

S/3.40

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R099CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.21
218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R099CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

218En existencias

S/27.21

S/17.40

S/14.87

S/11.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R099CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.63
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

60En existencias

S/30.63

S/17.67

S/14.83

S/13.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R230CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.41
45En existencias
240Se espera el 27/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R230CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R230CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

45En existencias

240Se espera el 27/05/2027

S/18.41

S/12.26

S/8.37

S/7.05

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.59
3,004En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,004En pedido

Cinta cortada

S/39.59

S/27.21

S/20.55

Envase tipo carrete

S/19.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

92 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
4,986Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,986Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/11.02

S/7.12

S/4.90

S/3.93

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R022CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/72.36
240Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R022CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R022CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

240Se espera el 24/12/2026

S/72.36

S/44.92

S/42.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

96 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

234 nC

- 40 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.77
722Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R040CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R040CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

722Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/38.77

S/28.06

S/25.30

S/23.63

Envase tipo carrete

S/23.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

64 A

76 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

97 nC

- 40 C

+ 150 C

357 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R145CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R145CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R145CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

240En pedido

S/22.97

S/12.96

S/10.35

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R145CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1,000: S/8.91
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R145CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R145CFD7A1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.91

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R050CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
500: S/18.49
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R050CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R050CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/18.49

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.01
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/27.01

S/15.45

S/12.88

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R190CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.63
Plazo de entrega 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 21 Semanas

S/20.63

S/11.56

S/9.54

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R022CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/42.16
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R022CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R022CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/42.16

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

96 A

234 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

22 nC

- 40 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/29.12
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/29.12

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/17.67
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R075CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/17.67

S/16.82

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPZA65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.96
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R035CFD7AX

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/57.96

S/33.20

S/30.87

S/30.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
750: S/11.02
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R099CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R099CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.02

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

29 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

39 nC

- 40 C

+ 150 C

186 W

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R125CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R125CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/16.70

S/11.64

S/10.00

S/9.50

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

24 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

160 W

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.40
Plazo de entrega 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R125CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R125CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 22 Semanas

Cinta cortada

S/17.40

S/12.14

S/10.43

S/9.93

Envase tipo carrete

S/9.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

24 A

240 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

160 W

Reel, Cut Tape

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

9 A
11 A
12 A
13 A
14 A
17 A
18 A
21 A
24 A
29 A
31 A
32 A
36 A
38 A
45 A
58 A
63 A
64 A
85 A
96 A

17 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
31 mOhms
35 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
76 mOhms
92 mOhms
99 mOhms
115 mOhms
139 mOhms
145 mOhms
150 mOhms
153 mOhms
180 mOhms
183 mOhms
190 mOhms

13 nC
17 nC
18 nC
22 nC
23 nC
24 nC
28 nC
29 nC
32 nC
36 nC
39 nC
41 nC
50 nC
53 nC
65 nC
67 nC
68 nC
97 nC
102 nC
127 nC

41 W
53 W
63 W
68 W
77 W
85 W
89 W
98 W
114 W
127 W
156 W
160 W
171 W
186 W
223 W
227 W
272 W
278 W
305 W
357 W