Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

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Resultados: 50

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R060CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R060CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R060CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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492En existencias

Cinta cortada

S/28.92

S/20.40

S/17.01

S/15.14

Envase tipo carrete

S/13.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

45 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

65 nC

- 40 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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860En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/8.37

Envase tipo carrete

S/7.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.16
1,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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1,097En existencias

Cinta cortada

S/33.16

S/22.81

S/17.94

S/17.91

Envase tipo carrete

S/14.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

92 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.08
781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R099CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R099CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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781En existencias

Cinta cortada

S/23.08

S/15.45

S/11.13

S/10.98

Envase tipo carrete

S/8.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

183 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
3,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,494En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.50

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R099CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.11
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R099CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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298En existencias

S/22.11

S/11.68

S/8.84

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
91En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R080CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R080CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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91En existencias

Cinta cortada

S/22.73

S/18.22

S/14.71

S/13.08

Envase tipo carrete

S/11.21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

36 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 40 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.65
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R099CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R099CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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250En existencias

Cinta cortada

S/18.65

S/14.91

S/12.07

S/10.70

Envase tipo carrete

S/9.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

29 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

39 nC

- 40 C

+ 150 C

186 W

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.62
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R125CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R125CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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490En existencias

Cinta cortada

S/19.62

S/13.00

S/10.32

S/9.19

Envase tipo carrete

S/7.86

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

24 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

160 W

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.16
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R040CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R040CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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172En existencias

Cinta cortada

S/33.16

S/25.73

S/23.90

S/22.27

S/20.86

Envase tipo carrete

S/18.65

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

64 A

76 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

97 nC

- 40 C

+ 150 C

357 W

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.68
412En existencias
1,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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412En existencias

1,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/11.68

S/8.80

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/38.81
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R035CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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180En existencias

S/38.81

S/23.20

S/22.11

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R099CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.33
63En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

63En existencias

S/24.33

S/18.65

S/15.06

S/13.39

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

215En existencias

S/22.54

S/15.73

S/12.73

S/11.33

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R230CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
95En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R230CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R230CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

95En existencias

S/15.03

S/14.13

S/9.42

S/6.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.43
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

151En existencias

S/36.43

S/20.79

S/20.16

S/17.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R125CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
38En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CFD7ATM

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

38En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/16.58

S/10.74

S/10.35

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.44
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

5En existencias

S/46.44

S/44.14

S/26.31

S/22.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPZA65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.71
240En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R035CFD7AX

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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240En pedido

S/46.71

S/38.03

S/24.29

S/23.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R145CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1,000: S/6.66
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R145CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R145CFD7A1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R050CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
500: S/13.82
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R050CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R050CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/13.82

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R145CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.43
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R145CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R145CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/16.43

S/16.39

S/10.59

S/8.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R190CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

S/16.78

S/9.30

S/7.67

S/7.51

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/14.21
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R075CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/14.21

S/12.73

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
Plazo de entrega 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R125CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R125CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega 21 Semanas

Cinta cortada

S/12.81

S/10.00

S/9.26

S/8.49

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

24 A

240 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

160 W

Reel, Cut Tape

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
9 A
11 A
12 A
13 A
14 A
17 A
18 A
21 A
24 A
29 A
31 A
32 A
36 A
38 A
45 A
58 A
63 A
64 A
85 A

17 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
31 mOhms
35 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
76 mOhms
92 mOhms
99 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
139 mOhms
145 mOhms
150 mOhms
153 mOhms
180 mOhms
183 mOhms

13 nC
14 nC
17 nC
18 nC
22 nC
23 nC
24 nC
28 nC
29 nC
32 nC
36 nC
39 nC
41 nC
50 nC
53 nC
65 nC
67 nC
68 nC
97 nC
102 nC

41 W
43 W
53 W
63 W
68 W
77 W
85 W
89 W
92 W
98 W
114 W
127 W
156 W
160 W
171 W
186 W
223 W
227 W
272 W
278 W