Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Resultados: 141

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF6N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.68
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N.º de artículo del Fabricante
STF6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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S/11.68

S/5.80

S/5.25

S/4.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF8N90K5
STMicroelectronics
1: S/14.71
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/14.71

S/9.65

S/7.08

S/6.31

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF9N80K5
STMicroelectronics
1,000: S/4.36
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF9N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF9N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/4.36

S/4.09

S/4.05

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

STH22N95K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/29.15
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N.º de artículo del Fabricante
STH22N95K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH22N95K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

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Cinta cortada

S/29.15

S/21.76

S/17.59

S/15.61

Envase tipo carrete

S/13.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV

STL4LN80K5
STMicroelectronics
3,000: S/2.28
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV

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Envase tipo carrete

S/2.28

S/2.18

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-VHV-8

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP4LN80K5
STMicroelectronics
2,000: S/2.44
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/2.44

S/2.25

Min.: 2,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5

STP7N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.17
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/11.17

S/5.53

S/4.98

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

STW10N105K5
STMicroelectronics
1: S/18.80
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW10N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/18.80

S/12.46

S/9.89

S/8.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

6 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STW21N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.30
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/31.30

S/22.77

S/18.96

S/16.89

S/15.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected

STF3N80K5
STMicroelectronics
2,000: S/3.03
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/3.03

S/2.89

S/2.70

Min.: 2,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF5N105K5
STMicroelectronics
1,000: S/4.44
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF5N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF5N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/4.44

S/4.20

S/4.16

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

3 A

2.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF5N80K5
STMicroelectronics
1,000: S/2.90
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/2.90

S/2.73

S/2.71

S/2.64

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW2N105K5
STMicroelectronics
900: S/4.13
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STFW2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/4.13

S/3.85

S/3.84

Min.: 900
Mult.: 300

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

2 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package

STI6N80K5
STMicroelectronics
1,000: S/4.13
No en existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STI6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STI6N80K5

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package

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No en existencias

S/4.13

S/3.93

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package

STU7LN80K5
STMicroelectronics
3,000: S/3.20
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STU7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/3.20

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect

STW22N95K5
STMicroelectronics
600: S/14.36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW22N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW22N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/14.36

S/14.32

Ver

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W