Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW12N120K5
STMicroelectronics
1: S/44.02
70En existencias
2,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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70En existencias

2,400En pedido

S/44.02

S/31.10

S/25.92

S/23.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STW15N95K5
STMicroelectronics
1: S/21.80
151En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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151En existencias

600En pedido

S/21.80

S/12.26

S/8.60

S/8.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247

STW20N95K5
STMicroelectronics
1: S/30.75
330En existencias
600En pedido

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STW20N95K5

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511-STW20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247

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330En existencias

600En pedido

S/30.75

S/16.19

S/14.91

S/13.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N95K5
STMicroelectronics
1: S/73.45
2En existencias
2,400En pedido

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STW40N95K5

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511-STW40N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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2En existencias

2,400En pedido

S/73.45

S/55.94

S/46.63

S/41.53

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

38 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STW6N95K5
STMicroelectronics
1: S/13.47
1,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW6N95K5

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511-STW6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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1,193En existencias

S/13.47

S/7.32

S/5.96

S/4.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW7N105K5
STMicroelectronics
1: S/16.54
208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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208En existencias

S/16.54

S/8.33

S/7.59

S/6.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N120K5
STMicroelectronics
1: S/35.50
3,744En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

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3,744En pedido

S/35.50

S/19.42

S/17.87

S/16.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

STP15N80K5
STMicroelectronics
1: S/18.76
9,173En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

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9,173En pedido

S/18.76

S/9.65

S/8.80

S/7.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

STF15N80K5
STMicroelectronics
1: S/18.84
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

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4En existencias

S/18.84

S/11.05

S/8.37

S/6.89

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

STB13N80K5
STMicroelectronics
1: S/23.04
831Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

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831Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/23.04

S/12.11

S/11.02

S/9.34

Envase tipo carrete

S/8.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/7.55
3,904Se espera el 1/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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3,904Se espera el 1/09/2026

Cinta cortada

S/7.55

S/3.62

S/3.11

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.91
4,941En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

S/8.91

S/4.32

S/3.87

S/3.08

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD6N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.46
11,987Se espera el 18/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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11,987Se espera el 18/08/2026

Cinta cortada

S/12.46

S/6.19

S/5.61

S/4.52

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N90K5
STMicroelectronics
1: S/13.23
4,003Se espera el 23/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

4,003Se espera el 23/09/2026

Cinta cortada

S/13.23

S/8.64

S/5.99

S/4.87

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STP20N95K5
STMicroelectronics
1: S/31.72
2,000Se espera el 27/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

2,000Se espera el 27/08/2027

S/31.72

S/19.07

S/17.01

S/14.79

S/13.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

STU6N95K5
STMicroelectronics
1: S/14.52
5,498Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STU6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

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Hoja de datos

5,498Se espera el 9/10/2026

S/14.52

S/6.89

S/6.27

S/5.37

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STF4N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.03
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

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Hoja de datos

707En existencias

S/9.03

S/4.40

S/3.93

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/16.50
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

1En existencias

S/16.50

S/8.29

S/7.51

S/6.15

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

630 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.14
383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

383En existencias

S/8.14

S/3.93

S/3.51

S/2.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STP3N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.68
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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Hoja de datos

174En existencias

S/8.68

S/4.20

S/3.76

S/2.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STP5N95K5
STMicroelectronics
1: S/11.17
451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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Hoja de datos

451En existencias

S/11.17

S/5.53

S/4.98

S/4.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/11.83
447En existencias

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STP7LN80K5

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511-STP7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/11.83

S/5.96

S/5.25

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.76
130En existencias

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STU2N80K5

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511-STU2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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S/8.76

S/5.49

S/3.60

S/2.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

STU8N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.14
400En existencias

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STU8N80K5

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511-STU8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

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S/12.14

S/5.68

S/5.14

S/4.40

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STD4N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.56
Plazo de entrega 24 Semanas

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STD4N80K5

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511-STD4N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

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Cinta cortada

S/8.56

S/5.49

S/3.71

S/2.95

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W