Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Resultados: 141

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N120K5
STMicroelectronics
1: S/22.42
520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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520En existencias

S/22.42

S/17.94

S/14.52

S/13.00

S/11.05

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

STU6N95K5
STMicroelectronics
1: S/5.49
4,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

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4,280En existencias

S/5.49

S/4.67

S/4.59

S/4.55

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Min.: 1
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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW12N120K5
STMicroelectronics
1: S/37.29
742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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742En existencias

S/37.29

S/28.26

S/23.55

S/20.98

S/18.68

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N150K5
STMicroelectronics
1: S/32.81
488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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488En existencias

S/32.81

S/23.86

S/19.89

S/17.71

S/15.80

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247

STW20N95K5
STMicroelectronics
1: S/28.53
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247

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550En existencias

S/28.53

S/14.60

S/12.03

S/11.99

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

STW21N150K5
STMicroelectronics
1: S/52.35
877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW21N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW21N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

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877En existencias

S/52.35

S/39.08

S/33.79

S/32.00

S/27.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

14 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N95K5
STMicroelectronics
1: S/65.51
733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95K5

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511-STW40N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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733En existencias

S/65.51

S/50.68

S/43.83

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

38 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW6N90K5
STMicroelectronics
1: S/13.04
1,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW6N90K5

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511-STW6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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1,618En existencias

S/13.04

S/8.49

S/6.50

S/5.41

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STW6N95K5
STMicroelectronics
1: S/12.42
1,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW6N95K5

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511-STW6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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1,908En existencias

S/12.42

S/8.10

S/6.19

S/5.18

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW7N90K5
STMicroelectronics
1: S/13.70
1,457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N90K5

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511-STW7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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1,457En existencias

S/13.70

S/7.59

S/5.18

S/5.14

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N120K5
STMicroelectronics
1: S/30.63
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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815En existencias

S/30.63

S/22.27

S/18.53

S/16.50

S/14.71

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB16N90K5
STMicroelectronics
1: S/22.07
464En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB16N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB16N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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464En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/22.07

S/16.11

S/12.46

S/11.99

Envase tipo carrete

S/10.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

330 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29.7 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.78
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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644En existencias

Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.98

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/7.08
1,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

1,613En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.02

S/2.39

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STD3N80K5
STMicroelectronics
1: S/7.24
315En existencias
2,500Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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Hoja de datos

315En existencias

2,500Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.10

S/2.45

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.41
1,140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

1,140En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/5.37

S/3.73

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.77
518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

518En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.25

S/6.07

S/5.10

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF10N80K5
STMicroelectronics
1: S/14.44
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

574En existencias

S/14.44

S/7.82

S/7.12

S/5.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

470 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STF2N80K5
STMicroelectronics
1: S/7.71
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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Hoja de datos

207En existencias

S/7.71

S/4.87

S/3.27

S/2.68

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STF2N95K5
STMicroelectronics
1: S/8.10
1,554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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Hoja de datos

1,554En existencias

S/8.10

S/5.18

S/3.59

S/3.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

4.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STF5N95K5
STMicroelectronics
1: S/9.69
880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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Hoja de datos

880En existencias

S/9.69

S/4.83

S/4.24

S/3.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7LN80K5
STMicroelectronics
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STF7LN80K5

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511-STF7LN80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/6.58

S/4.71

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

STF7N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.56
986En existencias

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STF7N80K5

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511-STF7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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S/11.56

S/5.29

S/5.18

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N90K5
STMicroelectronics
1: S/11.83
948En existencias

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STF7N90K5

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511-STF7N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/6.03

S/4.94

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

STF8N80K5
STMicroelectronics
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13En existencias
1,000Se espera el 16/03/2026

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STF8N80K5

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511-STF8N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

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S/12.49

S/6.38

S/5.76

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W