Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.64
1,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,137En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/6.77

S/5.18

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.85

S/3.64

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package

STD2N105K5
STMicroelectronics
1: S/10.24
115En existencias
12,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package

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115En existencias

12,500En pedido

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.52

S/3.61

Envase tipo carrete

S/3.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

1.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

STD4NK100Z
STMicroelectronics
1: S/14.25
600En existencias
12,500Se espera el 13/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

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600En existencias

12,500Se espera el 13/11/2026

Cinta cortada

S/14.25

S/8.41

S/6.58

S/5.68

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.2 A

6.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package

STF10N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.76
903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5

STMicroelectronics

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903En existencias

S/15.76

S/8.02

S/7.24

S/5.92

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

6 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF10N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.47
455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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455En existencias

S/16.47

S/8.37

S/7.59

S/6.23

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

470 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF16N90K5
STMicroelectronics
1: S/22.58
41En existencias
1,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF16N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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41En existencias

1,000Se espera el 24/08/2026

S/22.58

S/14.79

S/9.73

S/8.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

29.7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STF2N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.37
182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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182En existencias

S/8.37

S/4.05

S/3.57

S/2.83

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF4N90K5
STMicroelectronics
1: S/10.47
1,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N90K5

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511-STF4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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1,066En existencias

S/10.47

S/5.14

S/4.36

S/3.64

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

4 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STF5N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.39
850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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850En existencias

S/10.39

S/6.15

S/4.71

S/3.82

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

STF6N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.11
58En existencias
1,000Se espera el 2/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

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58En existencias

1,000Se espera el 2/10/2026

S/12.11

S/6.11

S/5.33

S/4.36

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/10.98
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7LN80K5

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511-STF7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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1,121En existencias

S/10.98

S/5.41

S/4.87

S/3.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

STF7N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.38
1,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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1,362En existencias

S/12.38

S/7.24

S/5.53

S/4.52

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.85
89En existencias
1,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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89En existencias

1,000Se espera el 24/08/2026

S/12.85

S/6.50

S/5.76

S/4.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP10N105K5
STMicroelectronics
1: S/18.22
256En existencias
1,000Se espera el 14/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

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256En existencias

1,000Se espera el 14/10/2026

S/18.22

S/9.38

S/8.52

S/7.01

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

6 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STP25N80K5
STMicroelectronics
1: S/22.85
419En existencias
1,000Se espera el 8/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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419En existencias

1,000Se espera el 8/01/2027

S/22.85

S/11.99

S/10.94

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/7.08
229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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229En existencias

S/7.08

S/3.36

S/2.96

S/2.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N95K5
STMicroelectronics
1: S/8.60
925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP2N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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925En existencias

S/8.60

S/4.20

S/3.69

S/2.95

Ver

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

4.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STP4N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.19
868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

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868En existencias

S/9.19

S/4.48

S/4.01

S/3.37

Ver

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP5N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.58
72En existencias
2,000Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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72En existencias

2,000Se espera el 11/09/2026

S/9.58

S/4.67

S/4.20

S/3.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP6N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.94
457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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457En existencias

S/10.94

S/7.01

S/4.79

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STP6N95K5
STMicroelectronics
1: S/13.27
507En existencias
1,000Se espera el 22/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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Hoja de datos

507En existencias

1,000Se espera el 22/09/2026

S/13.27

S/7.79

S/5.96

S/4.98

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP7N90K5
STMicroelectronics
1: S/12.65
502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

502En existencias

S/12.65

S/6.42

S/5.68

S/4.79

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N120K5
STMicroelectronics
1: S/26.74
7En existencias
2,000Se espera el 25/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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7En existencias

2,000Se espera el 25/01/2027

S/26.74

S/14.25

S/13.04

S/11.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N90K5
STMicroelectronics
1: S/15.88
706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

706En existencias

S/15.88

S/8.14

S/7.40

S/6.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STU2N95K5
STMicroelectronics
1: S/8.72
72En existencias
3,000Se espera el 7/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STU2N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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Hoja de datos

72En existencias

3,000Se espera el 7/09/2026

S/8.72

S/4.24

S/3.16

S/2.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W