Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 141

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

STD4NK100Z
STMicroelectronics
1: S/12.30
7,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

7,997En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/8.02

S/5.57

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.2 A

6.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

STD8N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.87
4,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

4,758En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/7.71

S/5.33

S/4.48

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STP15N95K5
STMicroelectronics
1: S/19.00
934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

934En existencias

S/19.00

S/12.46

S/9.73

S/8.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP20N90K5
STMicroelectronics
1: S/20.44
1,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,647En existencias

S/20.44

S/14.29

S/13.66

S/13.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STP21N90K5
STMicroelectronics
1: S/28.10
1,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,395En existencias

S/28.10

S/15.45

S/14.17

S/11.99

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF4LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.91
1,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,856En existencias

S/8.91

S/4.36

S/3.93

S/3.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N90K5
STMicroelectronics
1: S/14.64
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

828En existencias

S/14.64

S/7.63

S/6.89

S/5.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

STU7N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.24
1,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

Obtenga más información

Hoja de datos

1,841En existencias

S/10.24

S/4.75

S/4.28

S/3.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

STD7N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.04
1,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,325En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.50

S/4.55

S/3.67

Ver

Envase tipo carrete

S/3.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP5N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.95
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,848En existencias

S/8.95

S/3.97

S/3.46

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: S/14.21
907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N105K5

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

907En existencias

S/14.21

S/7.20

S/6.50

S/6.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/14.05
654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

654En existencias

S/14.05

S/7.36

S/6.66

S/5.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

630 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STF15N95K5
STMicroelectronics
1: S/18.96
671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

671En existencias

S/18.96

S/9.54

S/8.72

S/7.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

STF6N90K5
STMicroelectronics
1: S/10.90
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power

Obtenga más información

Hoja de datos

983En existencias

S/10.90

S/5.41

S/4.32

S/3.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

STP8N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.56
984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

984En existencias

S/11.56

S/5.29

S/4.75

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW13N80K5
STMicroelectronics
1: S/20.20
508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

508En existencias

S/20.20

S/12.38

S/9.42

S/7.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF4N90K5
STMicroelectronics
1: S/9.54
1,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,365En existencias

S/9.54

S/4.79

S/4.09

S/3.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

4 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW20N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.23
365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

365En existencias

S/29.23

S/17.09

S/12.46

S/12.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N90K5
STMicroelectronics
1: S/16.89
661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

661En existencias

S/16.89

S/9.46

S/6.54

S/6.07

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

STY50N105DK5
STMicroelectronics
1: S/106.50
460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY50N105DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STY50N105DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

Obtenga más información

Hoja de datos

460En existencias

S/106.50

S/68.82

S/65.47

S/65.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

44 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

175 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/3.08
2,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

Obtenga más información

Hoja de datos

2,896En existencias

S/3.08

S/2.47

S/2.27

S/2.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP5N105K5
STMicroelectronics
1: S/12.61
801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N105K5

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

801En existencias

S/12.61

S/5.96

S/5.41

S/4.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.42
425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

425En existencias

S/19.42

S/11.09

S/8.37

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.92
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

Obtenga más información

Hoja de datos

2,731En existencias

S/5.92

S/2.91

S/2.76

S/2.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

STH12N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/46.75
686En existencias
1,000Se espera el 6/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH12N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

686En existencias

1,000Se espera el 6/04/2026

Cinta cortada

S/46.75

S/37.84

S/31.53

S/28.69

Envase tipo carrete

S/22.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W