Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
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Si
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PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
1 Channel
20 V
22 A
11.7 mOhms
- 12 V, 12 V
1.1 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
9.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
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1
S/3.66
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S/1.68
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S/1.48
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PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.54
32,000 Se espera el 25/02/2027
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
32,000 Se espera el 25/02/2027
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S/3.54
10
S/2.20
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S/1.43
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Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
63 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
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