RFN10BGE3STL

ROHM Semiconductor
755-RFN10BGE3STL
RFN10BGE3STL

Fabricante:

Descripción:
Rectificadores RECT 350V 10A SM SUPER FST

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,657

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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S/-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/5.25 S/5.25
S/3.34 S/33.40
S/2.81 S/281.00
S/2.22 S/1,110.00
S/2.03 S/2,030.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/1.89 S/4,725.00
S/1.87 S/9,350.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Rectificadores
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-252GE-3
350 V
10 A
Super Fast Recovery Diode
Single
1.5 V
80 A
10 uA
30 ns
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Producto: Rectifiers
Tipo de producto: Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Alias de las piezas n.º: RFN10BGE3S
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode features silicon epitaxial planar construction with high current overload capacity and low switching loss. This superfast recovery diode is stored at -55°C to 150°C temperature range and offers 350V repetitive peak reverse voltage. The RFN10BGE3STL diode functions at 10A average rectified forward current, 1.5V maximum forward voltage, 10μA maximum reverse current, and 150°C junction temperature. This diode is ideal for use in general rectification.