NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi NTH4L060N065SC1

En existencias: 430

Existencias:
430 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/32.85 S/32.85
S/24.17 S/241.70
S/23.51 S/2,351.00
S/22.69 S/10,210.50
S/22.62 S/20,358.00
2,700 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 12 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 14 ns
Serie: NTH4L060N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has low ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.