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AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 3130.5 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-AFV10700GSR5

Fabricante N.º:

AFV10700GSR5

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Hoja de datos:

AFV10700GSR5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2.6 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	105 V
Frecuencia de trabajo:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Ganancia:	19.2 dB
Potencia de salida:	700 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI-780GS-4L
Empaquetado:	Reel
Marca:	NXP Semiconductors
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	526 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFV10700
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Alias de las piezas n.º:	935362013178

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PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.