Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
28,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.27

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

75 V

17 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.14
26,351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB90EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.38

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

17.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
35,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ570EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.28

S/4.36

S/3.10

S/2.45

S/2.24

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S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

9.5 A, 15 A

45 mOhms, 146 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC, 12 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 40V PowerPAK

SQJB42EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
6,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB42EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB42EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 40V PowerPAK

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S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

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S/2.13

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.45
5,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.45

S/3.42

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.56

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

27 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
5,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.55

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S/2.30

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

2 Channel

100 V

17 A, 34 A

32.5 mOhms, 15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC, 30 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
2,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ202EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/8.33

S/5.33

S/3.60

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S/2.38

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: 3,000

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
49,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB80EP-T1_GE3

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78-SQJB80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
5,820En existencias

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SQJB00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

S/4.90

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S/2.27

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB40EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
9,637En existencias

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SQJB40EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB40EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

S/4.90

S/3.02

S/2.41

S/2.18

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S/2.13

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

6.3 mOhms, 6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
12,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ951EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.62

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.70
5,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ963EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

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5,065En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/3.80

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
1,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ968EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.88

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.81

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23.5 A

28 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
1,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ200EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

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1,948En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

20 V

20 A, 60 A

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.55
8,226En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ974EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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8,226En pedido

Cinta cortada

S/7.55

S/4.63

S/3.46

S/2.72

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

30 A

21 mOhms, 21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.71
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJB60EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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9,000En pedido

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S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.27

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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