Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.59
26,726En existencias

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SQJB90EP-T1_GE3

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78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.59

S/4.87

S/3.27

S/2.60

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S/2.10

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2 Channel

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30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
55,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ940EP-T1_GE3

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78-SQJ940EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.66

S/2.45

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

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+ 175 C

43 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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39,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ570EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1.5 V

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+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.29
78,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ960EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

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78,000En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/7.32

S/5.06

S/4.20

S/4.16

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S/3.67

MouseReel Disponible

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- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
30,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.13

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MouseReel Disponible

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2 Channel

75 V

17 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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5,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.06

S/3.16

S/2.09

S/1.65

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
5,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/6.77

S/4.87

S/3.27

S/2.60

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S/1.98

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100 V

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32.5 mOhms, 15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC, 30 nC

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+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 40V PowerPAK

SQJB42EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
6,070En existencias

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SQJB42EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB42EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/7.20

S/4.59

S/3.09

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S/1.97

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30 A

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- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
2,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ200EP-T1_GE3

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78-SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

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S/1.84

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2 Channel

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20 A, 60 A

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

SQJ942EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ942EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ942EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

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S/1.84

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PowerPAK-SO-8L-4

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2 Channel

40 V

15 A, 45 A

18 mOhms, 9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

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- 55 C

+ 175 C

17 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
2,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ202EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.16

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SMD/SMT

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N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
67,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB80EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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67,281En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

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S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.31
5,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ974EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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5,266En existencias

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S/6.31

S/4.28

S/3.08

S/2.50

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S/2.10

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
13,502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ951EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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S/5.37

S/3.64

S/2.90

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S/2.51

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.24
13,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB60EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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13,969En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.00
8,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ963EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

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S/10.00

S/6.46

S/4.44

S/3.55

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S/2.92

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
2,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ968EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.12

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S/1.69

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23.5 A

28 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB40EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
2,015En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQJB40EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB40EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/4.13

S/2.88

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S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

6.3 mOhms, 6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ992EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.47
3,000Se espera el 16/02/2026

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SQJ992EP-T1_GE3

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78-SQJ992EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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3,000Se espera el 16/02/2026

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S/4.75

S/3.23

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S/2.07

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N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
6,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJB00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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6,000Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.2 mOhms, 2.5 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
7.9 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms
13.3 mOhms, 5.3 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms, 9 mOhms
21 mOhms, 21 mOhms
27 mOhms, 27 mOhms
28 mOhms, 28 mOhms
30 mOhms, 30 mOhms
32.5 mOhms, 15.4 mOhms
41 mOhms
45 mOhms, 146 mOhms
47 mOhms, 47 mOhms
67 mOhms, 67 mOhms