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QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 4642.16 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1006

Fabricante N.º:

QPD1006

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Hoja de datos:

QPD1006 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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25	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI-50CW
Polaridad del transistor:	N-Channel
Id - Corriente de drenaje continua:	14 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	445 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD1006EVB3
Ganancia:	17.8 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	145 V
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	450 W
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1006
Cantidad de empaque de fábrica:	36
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT

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QPD1006 Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.