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MCF8315DVPWPR

Name: Texas Instruments MCF8315DVPWPR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-MCF8315DVPWPR
Price: 17.44 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-MCF8315DVPWPR

Fabricante N.º:

MCF8315DVPWPR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 40V max 4A peak se nsorless FOC option

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/17.44	S/17.44
	S/11.56	S/115.60
	S/10.63	S/265.75
	S/9.15	S/915.00
	S/8.68	S/2,170.00
	S/7.79	S/3,895.00
	S/7.28	S/7,280.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/6.15	S/12,300.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
RoHS:
Producto:	Gate Driver
Voltaje de alimentación operativo:	24 V
Corriente de salida:	3.5 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HTSSOP-24
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Texas Instruments
Kit de desarrollo:	MCF8315EVM
Sensibles a la humedad:	Yes
Frecuencia de trabajo:	100 kHz
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	MCF8315D
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	40 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V

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CNHTS:: 8542311999
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

MCF8315D Sensorless FOC BLDC Driver

Texas Instruments MCF8315D Sensorless Field Oriented Control (FOC) Brushless-DC (BLDC) Motor Driver is a single-chip device for users driving speed-controlled 12V to 24V BLDCs. The FOC algorithm is implemented in a fixed-function state machine, so no coding is required. The algorithm configuration is stored in non-volatile EEPROM, which allows the driver to function in stand-alone mode once the driver is configured. This driver integrates three half-bridges with 40V absolute maximum capability and a low R_DS(ON) of 240mΩ/250mΩ/265mΩ (high-side + low-side FETs).