GaN FETs – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL

TP65H030G4PQS-TR
Renesas Electronics
1: S/38.61
345En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H030G4PQS-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H030G4PQS-TR

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL

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345En existencias

Cinta cortada

S/38.61

S/26.24

S/21.64

S/20.01

S/19.19

Envase tipo carrete

S/17.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-10

N-Channel

1 Channel

650 V

55.7 A

41 mOhms

4.8 V

24.5 nC

- 55C

+ 150 C

192 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

TP65H030G4PRS-TR
Renesas Electronics
1: S/38.89
1,019En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H030G4PRS-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H030G4PRS-TR

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

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1,019En existencias

Cinta cortada

S/38.89

S/26.43

S/21.80

S/20.16

Envase tipo carrete

S/19.00

S/17.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,300

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

55.7 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

TP65H030G4PWS
Renesas Electronics
1: S/40.33
1,258En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H030G4PWS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H030G4PWS

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

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1,258En existencias

S/40.33

S/25.57

S/22.07

S/19.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55.7 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

TP65H100G4PS
Renesas Electronics
1: S/25.34
720En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H100G4PS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H100G4PS

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

Hoja de datos

720En existencias

Cinta cortada

S/25.34

S/13.66

S/12.30

S/10.47

Envase tipo carrete

S/9.77

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

650 V

18.9 A

110 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.65 V

14.4 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

TP65H050G4YS
Renesas Electronics
1: S/40.68
560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H050G4YS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H050G4YS

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

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560En existencias

S/40.68

S/24.06

S/20.40

S/17.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSG-TR
Renesas Electronics
1: S/33.13
2,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4LSG-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4LSG-TR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

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Cinta cortada

S/33.13

S/22.54

S/16.54

S/16.23

S/14.87

Envase tipo carrete

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSGB-TR
Renesas Electronics
1: S/32.54
2,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4LSGB-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4LSGBTR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

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Cinta cortada

S/32.54

S/22.11

S/16.23

S/15.84

S/14.52

Envase tipo carrete

S/12.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

TP65H070G4PS
Renesas Electronics
1: S/32.23
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4PS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4PS

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

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Cinta cortada

S/32.23

S/17.79

S/16.31

S/13.78

Envase tipo carrete

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.7 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

TP65H070G4RS-TR
Renesas Electronics
1: S/33.20
1,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4RS-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

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Cinta cortada

S/33.20

S/22.58

S/16.58

S/16.27

Envase tipo carrete

S/13.31

S/13.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,300

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP65H480G4JSGB-TR
Renesas Electronics
1: S/8.49
3,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H480G4JSGB-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H480G4JSGBTR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

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Hoja de datos

3,769En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.66

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

QFN-7

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

560 mOhms

- 10 V, + 10 V

2.8 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

13.2 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP65H480G4JSG-TR
Renesas Electronics
1: S/8.49
1,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP65H480G4JSG-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H480G4JSG-TR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

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Hoja de datos

1,475En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.66

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

560 mOhms

- 18 V, + 18 V

2.8 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

13.2 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

TP65B110HRU-TR
Renesas Electronics
1: S/31.06
1,254Se espera el 18/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65B110HRU-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65B110HRU-TR

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

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1,254Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/31.06

S/21.88

S/17.71

S/15.73

S/13.00

Envase tipo carrete

S/12.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SuperGaN

GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220

TP65H150G4PS
Renesas Electronics
1: S/21.37
1,828Se espera el 7/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TP65H150G4PS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H150G4PS

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220

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Hoja de datos

1,828Se espera el 7/07/2026

S/21.37

S/11.41

S/10.39

S/8.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP

TP70H135G4PJSGB-TR
Renesas Electronics
5,000: S/4.52
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP70H135G4PJSGB-TR

N.º de artículo de Mouser
227-P70H135G4PJSGBTR

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

15.8 A

169 mOhms

20 V

2.5 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP

TP70H135G4PLSGB-TR
Renesas Electronics
3,000: S/5.02
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP70H135G4PLSGB-TR

N.º de artículo de Mouser
227-P70H135G4PLSGBTR

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.02

S/4.83

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

14.6 A

169 mOhms

20 V

2.5 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L

TP65H035G4YS
Renesas Electronics
1,200: S/22.23
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TP65H035G4YS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H035G4YS

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/22.23

Min.: 1,200
Mult.: 1,200

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46.5 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.6 V

42.7 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL

TP65H050G4QS-TR
Renesas Electronics
2,000: S/16.43
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TP65H050G4QS-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H050G4QS-TR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/16.43

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

60 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSGBEA-TR
Renesas Electronics
3,000: S/12.42
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4LSGBEA-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4LSGBEA

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.42

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

PQFN-8

650 V

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSGEA-TR
Renesas Electronics
3,000: S/12.30
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4LSGEA-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4LSGEAT

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.30

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

PQFN-8

650 V

SuperGaN

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL

TP65H070G4QS-TR
Renesas Electronics
2,000: S/11.68
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TP65H070G4QS-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4QS-TR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.68

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

60 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H100G4LSGB-TR
Renesas Electronics
3,000: S/8.06
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TP65H100G4LSGB-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H100G4LSGBTR

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.06

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

18.9 A

110 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP

TP70H130G4PLSG-TR
Renesas Electronics
3,000: S/5.02
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP70H130G4PLSG-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP70H130G4PLSGTR

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.02

S/4.83

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-3

N-Channel

1 Channel

700 V

16 A

163 mOhms

20 V

4.8 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220

TP70H130G4PPS
Renesas Electronics
1: S/15.73
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP70H130G4PPS

N.º de artículo de Mouser
227-TP70H130G4PPS

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/15.73

S/10.32

S/7.67

S/6.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

16 A

163 mOhms

20 V

4.8 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP70H150G4LSG-TR
Renesas Electronics
3,000: S/5.18
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP70H150G4LSG-TR

N.º de artículo de Mouser
227-TP70H150G4LSG-TR

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Renesas Electronics

GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

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S/5.18

S/5.02

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

700 V

SuperGaN

GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

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Gen IV SuperGaN® FETs

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