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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
563En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
Hoja de datos
250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
Hoja de datos
464En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
514En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube