MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/141.73
857En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

857En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/141.73

S/105.41

S/105.37

S/99.84

Envase tipo carrete

S/99.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/74.89
3,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

3,134En existencias

Cinta cortada

S/74.89

S/53.37

S/47.57

S/47.22

Envase tipo carrete

S/43.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/103.00
101En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R012M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

101En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/103.00

S/79.06

S/71.19

S/68.39

Envase tipo carrete

S/64.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.98
359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R022M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

359En existencias

Cinta cortada

S/62.98

S/44.41

S/38.07

Envase tipo carrete

S/35.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.50
1,651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,651En existencias

Cinta cortada

S/54.50

S/31.18

Envase tipo carrete

S/29.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.16
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

210En existencias

Cinta cortada

S/42.16

S/29.08

S/22.58

Envase tipo carrete

S/21.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.46
1,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,957En existencias

Cinta cortada

S/35.46

S/19.38

S/17.83

Envase tipo carrete

S/16.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R116M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

532En existencias

Cinta cortada

S/26.35

S/17.71

S/12.81

S/12.11

Envase tipo carrete

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.50
1,017En existencias
1,000Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

1,017En existencias

1,000Se espera el 18/03/2027

Cinta cortada

S/22.50

S/15.03

S/10.74

S/9.81

Envase tipo carrete

S/9.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
5,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

5,094En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.51

S/9.61

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.52

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.77
41En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

41En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/32.77

S/19.97

S/16.97

S/15.65

Envase tipo carrete

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

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